CPH3338-TL-E-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: CPH3338-TL-E-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

**参数:**
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -5.6A
- 开关电阻: RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth=-1V

**应用简介:**
适用于要求P—Channel沟道的电路，具有低电阻和高性能的特点。常见用途包括功率放大器、开关电源和电源管理模块。

**领域应用:**
1. **功率放大器：** 适用于音频放大器和其他功率放大应用。
2. **开关电源：** 在电源转换和稳压中具有优越性能。
3. **电源管理模块：** 用于电池管理和电源控制电路。

**注意：** 在设计中请确保符合电气规格，以充分发挥其性能。