ELM13413CA-S-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

本文详细介绍了ELM13413CA-S-VB场效应晶体管的参数,如SOT23封装、-20V的最大承受电压和-4A的最大电流。文章示例了在移动设备充电保护和低功耗电源管理中的应用,强调根据电路需求选择合适器件的重要性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

ELM13413CA-S-VB 详细参数说明:
- 丝印: VB2290
- 品牌: VBsemi
- 参数:
  - 封装: SOT23
  - 沟道类型: P—Channel
  - 最大承受电压: -20V
  - 最大电流: -4A
  - 导通电阻: RDS(ON)=57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压: Vth=-0.81V

应用简介:
ELM13413CA-S-VB适用于SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其具有最大承受电压为-20V,适用于需要负载电压较低的电路。最大电流为-4A,适用于小型电子设备的电源管理和开关控制。

举例说明:
1. **移动设备充电保护模块:** 由于SOT23封装小巧,ELM13413CA-S-VB可用于移动设备充电保护模块,确保充电电流和电压在安全范围内。
   
2. **低功耗电源管理模块:** 适用于需要低功耗的电源管理模块,例如便携式无线设备,ELM13413CA-S-VB在此场景下能够提供高效的电源控制。

请注意,具体的应用要根据电路设计的需求和特点进行选择。

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