**产品型号:** HAT1047RJ-VB
**丝印:** VBA2311
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大承受电压:** -30V
- **最大电流:** -11A
- **导通电阻:** RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- **阈值电压:** Vth=-1.42V
**封装:** SOP8
**详细参数说明:**
HAT1047RJ-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,最大承受电压为-30V,最大电流为-11A。其导通电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为10mΩ。阈值电压为-1.42V。该器件采用SOP8封装。
**应用简介:**
HAT1047RJ-VB适用于多种电源和功率管理应用,特别是在负载开关和功率逆变模块中发挥优越性能。
**应用举例:**
1. **电源开关模块:** 在电源开关模块中,HAT1047RJ-VB可用于实现高效的电源开关,确保电能的高效转换。
2. **功率逆变模块:** 该器件在功率逆变模块中能够提供可靠的功率控制,适用于不同类型的逆变器设计。
通过采用HAT1047RJ-VB,您可以在各种电源和功率管理应用中获得卓越的性能和可靠性。