IPD50N06S2-14-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管

**IPD50N06S2-14-VB 详细参数说明和应用简介：**

- **参数：**
  - 丝印：VBE1615
  - 品牌：VBsemi
  - 封装：TO252
  - 类型：N—Channel沟道
  - 额定电压：60V
  - 额定电流：60A
  - RDS(ON)：9mΩ @ VGS=10V, 20V
  - 阈值电压：1.87V

- **应用简介：**
  - IPD50N06S2-14-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于高功率开关和电源控制。

- **应用领域：**
  - 高功率开关模块
  - 电源控制模块

- **作用：**
  - 在高功率开关模块中，用于控制电路的导通和切断，适用于高功率设备。
  - 在电源控制模块中，用于实现电源的高效开关和调节，适用于大功率电子设备。

- **使用注意事项：**
  - 丝印VBE1615对应IPD50N06S2-14-VB，确保正确识别。
  - 在规定的电压和电流范围内使用，以防损坏设备。
  - 遵循制造商提供的电路设计和应用建议。