J210-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

产品型号: J210-VB
丝印: VB264K
品牌: VBsemi
参数: SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.87V；
封装: SOT23

**详细参数说明:**
- **类型:** P-Channel MOSFET
- **额定电压(VDS):** -60V
- **额定电流(ID):** -0.5A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 3000mΩ (在VGS=10V, VGS=20V条件下)
- **阈值电压(Vth):** -1.87V
- **封装类型:** SOT23

**应用简介:**
该产品适用于需要P-Channel MOSFET的电路设计，特别是在以下领域和模块中表现出色：

1. **电源管理模块:**
   - 由于低导通电阻和适当的电压额定值，可用于电源开关和逆变器。

2. **信号开关和放大器:**
   - 在需要P-Channel MOSFET进行信号开关和放大的电路中，提供高性能。

3. **电流控制模块:**
   - 适合在需要精确电流控制的电路中使用，如电流源和电流控制器。

4. **电池管理系统:**
   - 在需要低功耗和可靠性的电池管理系统中，可作为充电和放电开关。

这些是产品J210-VB的主要特性和适用领域的简要说明。