FDN352P-NL-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号: FDN352P-NL-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

**参数:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 最大工作电压: -30V
- 最大连续漏极电流: -5.6A
- 开启电阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): -1V

**应用简介:**
FDN352P-NL-VB是一款P-Channel沟道的SOT23封装型MOSFET，具有高性能和可靠性，适用于多种电源管理和开关电路应用。以下是该产品的详细参数说明和应用简介：

1. **电源管理模块:** 由于其P-Channel MOSFET的特性，FDN352P-NL-VB可用于电源管理模块，包括电源开关、逆变器和稳压器等应用。其低导通电阻和高漏极电流使其成为有效能量转换的理想选择。

2. **电池保护电路:** 在需要P-Channel MOSFET用于电池保护的应用中，FDN352P-NL-VB可用于电池过充和过放保护电路，确保电池处于安全工作范围内。

3. **DC-DC转换器:** 适用于DC-DC转换器，提供高效的能量转换，适用于移动设备和电源适配器等领域。FDN352P-NL-VB在-30V工作电压下具有出色的性能。

4. **电源开关:** 用于各种电源开关应用，包括开关电源、电源适配器和电池供电设备等。

请注意，以上是一般的参数说明和应用简介，具体的应用和模块设计仍需根据具体的电路要求进行详细的工程分析和设计。