NTR4501NT3G-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**NTR4501NT3G-VB 产品规格**

- **品牌：** VBsemi
- **型号：** NTR4501NT3G-VB
- **丝印：** VB1240
- **封装：** SOT23
- **参数：**
  - N—Channel沟道
  - 工作电压：20V
  - 额定电流：6A
  - RDS(ON)：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
  - 阈值电压：Vth=0.45~1V

**应用简介：**

NTR4501NT3G-VB是一款N—Channel沟道MOSFET，适用于多种电源和开关应用。其低阈值电压、低导通电阻和高耐压特性使其在不同领域具有广泛的应用。

**领域和应用：**

1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和适中的电流容量，NTR4501NT3G-VB可用于电源管理模块，提高功率转换效率。

2. **电源开关模块：** 适用于各种开关电源模块，可实现有效的电源控制和管理。

3. **电池保护：** 在电池管理电路中，NTR4501NT3G-VB的低阈值电压和低导通电阻使其成为电池保护模块的理想选择。

4. **驱动电路：** 可以用于各种需要高性能N—Channel MOSFET的驱动电路。

请注意，以上仅为一般性的应用示例，具体的使用环境和需求可能会导致不同的应用场景。在使用该器件时，请参考厂商提供的详细规格书和应用手册。