QM6008G-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**产品型号：** QM6008G-VB

**丝印：** VB1695

**品牌：** VBsemi

**参数：** 
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N-Channel
- 额定电压：60V
- 额定电流：4A
- 开态电阻：RDS(ON) = 85mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 阈值电压：Vth = 1~3V

**应用简介：**
QM6008G-VB是一款N-Channel沟道的场效应晶体管（FET），采用SOT23封装。具有60V的额定电压、4A的额定电流和较低的开态电阻，适用于需要中高电压和中电流的电路应用。

**适用领域和示例：**
1. **电源开关模块：** 由于器件具有中高额定电压和适度电流的特点，适用于电源开关模块，如开关电源、DC-DC转换器等。

2. **电动汽车充电桩：** 适用于电动汽车充电桩，作为功率开关元件，确保充电效率和电能转换效果。

3. **LED照明驱动：** 作为LED照明领域的关键部分，用于LED驱动电路，确保高效的电能转换和稳定的亮度。

4. **电机控制模块：** 在需要中电流的电机控制应用中，该器件可以作为电机驱动电路的关键组件，提供可靠的功率开关。

5. **电源逆变器：** 在需要将直流电转换为交流电的应用中，可用作电源逆变器的开关元件。

这些示例突显了QM6008G-VB在中高电压、中电流要求的电路模块中的广泛应用，具有适用性强、性能稳定的特点。