产品型号: Si2399CDS-T1-GE3-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi
参数: SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1V;
封装: SOT23
详细参数说明和应用简介:
Si2399CDS-T1-GE3-VB 是一款 P-Channel 沟道 MOSFET,采用 SOT23 封装。其主要参数包括最大耐压 -30V,最大漏极电流 -5.6A,漏极-源极电阻 RDS(ON) 在 VGS=10V 和 VGS=20V 时分别为 47mΩ。阈值电压 Vth 为 -1V。
应用领域:
这款产品适用于需要 P-Channel MOSFET 的电路设计,特别是在需要控制负载电流的应用中。常见的应用领域包括电源管理、开关电源和功率放大器等。
注意: 在具体应用前,请仔细阅读产品手册和规格书,以确保正确的使用和性能。