2SK2687-01_05-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**2SK2687-01_05-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于中低压高功率应用。具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电流能力，适合要求中低压和高功率的电路设计。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：20（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：10mΩ @ VGS=4.5V，7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：70A
- **技术**：Trench

### 应用领域和模块

**2SK2687-01_05-VB** 在以下领域和模块中具有广泛应用：

1. **电机驱动**：
   - 适用于中低压高功率电机驱动器，如电动汽车、工业机械等，提供高效率和可靠性的驱动。

2. **电源管理模块**：
   - 适用于中低压高功率开关电源（SMPS）中的功率开关和电流控制，提供高效率和稳定性。

3. **电池保护模块**：
   - 用于电池保护电路中的功率开关和电流控制，保护电池免受过流和过压的损害。

4. **充电器**：
   - 在充电器中使用，控制充电电流和电压，提供安全和高效的充电。

5. **DC-DC转换器**：
   - 用于中低压高功率DC-DC转换器，提供稳定的输出电压和电流。

### 小结

**2SK2687-01_05-VB** 是一款适用于中低压高功率应用的单N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电流能力。广泛应用于电机驱动、电源管理、电池保护、充电器和DC-DC转换器等领域，为电路设计提供中低压和高功率的解决方案。