SSM3K318T-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**SSM3K318T-VB 详细参数说明：**

- **丝印：** VB1695
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOT23
- **类型：** N—Channel 沟道 MOSFET
- **最大耐压：** 60V
- **最大电流：** 4A
- **导通电阻：** RDS(ON) = 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值：** Vth = 1~3V

**应用简介：**

SSM3K318T-VB是VBsemi品牌推出的N—Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装，具有最大耐压60V、最大电流4A的特点。其低导通电阻(RDS(ON))为85mΩ，门源电压阈值(Vth)在1~3V范围内，适用于多种电子应用场景。

**应用举例：**

1. **电源管理模块：** 由于SSM3K318T-VB的中等耐压和较大电流特性，可应用于电源管理模块，提供可靠的电能转换和高效的电源输出。

2. **电机控制：** 在电机控制模块中，SSM3K318T-VB的N—Channel MOSFET特性使其成为电机驱动电路中的理想选择，实现电机的高效控制。

3. **电源逆变器：** 适用于电源逆变器模块，帮助实现直流电源到交流电源的高效转换，广泛应用于太阳能逆变器等领域。

4. **电池管理系统：** 在电池管理模块中，可作为充电和放电控制的关键元件，确保电池系统的安全运行。

**总结：**

SSM3K318T-VB适用于电源模块、电机控制、电源逆变器和电池管理系统等领域。其N—Channel MOSFET特性和SOT23封装使其在不同应用场景中具备高性能和可靠性。