STS3417-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号: STS3417-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -5.6A
- 静态导通电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

封装: SOT23

应用简介:
STS3417-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应管，具有卓越的电性能。主要用于电源管理模块和需要P—Channel沟道的电路设计，以实现高效的功耗控制和电源管理。

领域和模块应用:
1. **电源管理模块：** 适用于电源管理模块中的负载开关，通过其P—Channel沟道特性，有助于提高系统的能效和稳定性。
2. **电子设备：** 在对功耗和性能要求高的电子设备中广泛应用，例如便携式设备、消费电子产品等，可优化电路性能并降低功耗。

通过使用STS3417-VB，可以在这些领域中实现可靠的电源控制和电路性能的提升。