UPA1716G-E2-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** UPA1716G-E2-VB  
**丝印：** VBA2311  
**品牌：** VBsemi  
**参数：**  
- P—Channel沟道
- -30V；-11A
- RDS(ON)=10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- Vth=-1.42V  

**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  
VBsemi品牌推出的UPA1716G-E2-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，工作电压为-30V，最大电流可达-11A。其低导通电阻（RDS(ON)）为10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，有效提升功率开关效率。阈值电压（Vth）为-1.42V，适用于各种电源控制和功率管理应用。

**应用简介：**  
该产品可应用于多领域的电源开关和功率管理模块，具体包括但不限于：
1. **太阳能充电控制器：** UPA1716G-E2-VB可用于太阳能充电控制器中，提供可靠的功率开关控制，确保太阳能充电系统的高效运行。
2. **无线通信基站：** 在无线通信基站模块中，该器件能够实现电源的高效开关，提高通信设备的性能和稳定性。
3. **电动工具控制：** 适用于电动工具中的功率开关，确保电动工具的高效运行。

通过其卓越的性能和稳定性，UPA1716G-E2-VB为不同领域的功率控制模块提供可靠的解决方案，助力电力电子系统的创新与发展。