054N08N-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

054N08N-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO263封装，具有80V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3V的阈值电压（Vth）、10mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及120A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench技术，适用于中低压高电流应用。

### 参数说明

- **封装：** TO263
- **结构：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 80V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
  - @VGS=4.5V: 10mΩ
  - @VGS=10V: 6mΩ
- **漏极电流（ID）：** 120A
- **技术：** Trench

### 应用领域和模块举例

1. **电动汽车：** 054N08N-VB适用于电动汽车的电池管理系统和电动助力转向等模块，因其高电流承载能力和低导通电阻。

2. **电源管理：** 在需要中低压高电流的电源管理应用中，如开关电源和DC-DC变换器，054N08N-VB可以提供高效的电源开关功能。

3. **工业控制系统：** 该产品适用于工业控制系统中的电机驱动、照明控制和电源管理等领域，处理高电流和低压降的需求。

4. **太阳能逆变器：** 054N08N-VB可以应用于太阳能发电系统中的逆变器，提供高效和可靠的功率开关电路。

5. **电动工具：** 在电动工具中，如电动钻、电锯等，054N08N-VB因其高电流和低导通电阻适用于电源开关，保证工具的高效运行。