075N04L-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

075N04L-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO263封装，具有40V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、2.5V的阈值电压（Vth）、6mΩ@VGS=4.5V和5mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及100A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench技术，适用于中低压高电流应用。

### 参数说明

- **封装：** TO263
- **结构：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 40V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
  - @VGS=4.5V: 6mΩ
  - @VGS=10V: 5mΩ
- **漏极电流（ID）：** 100A
- **技术：** Trench

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理：** 075N04L-VB适用于中低压高电流的电源管理应用，如开关电源和DC-DC变换器，可提供高效的电源开关功能。

2. **电动汽车充电桩：** 由于具有适度的漏极电流和低导通电阻，该产品适用于电动汽车充电桩的电源开关。

3. **工业控制系统：** 075N04L-VB适用于工业控制系统中的电机驱动、照明控制和电源管理等领域，可处理高电流和低压降的需求。

4. **太阳能逆变器：** 075N04L-VB可用于太阳能发电系统中的逆变器，提供高效和可靠的功率开关电路。

5. **高压电源管理：** 由于具有较高的漏极-源极电压，075N04L-VB适用于需要处理中低压的电源管理应用，如开关电源和DC-DC变换器。