082N10N-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 082N10N-VB 产品简介

082N10N-VB 是 VBsemi 公司推出的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 封装，具有高电压和高电流处理能力，适用于需要高性能的功率转换和控制应用。该器件具有 100V 的漏源电压 (VDS) 和 85A 的连续漏极电流 (ID)，能够在高压高电流环境中提供可靠的性能。其低导通电阻 (RDS(ON)) 为 10.5mΩ（在 VGS=4.5V 条件下）和 8.5mΩ（在 VGS=10V 条件下），使其在功率转换应用中具备高效能。

### 详细参数说明

| 参数 | 数值 |
|------|------|
| 封装 | TO-252 |
| 配置 | 单 N 沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 100V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 10.5mΩ（@VGS=4.5V）<br>8.5mΩ（@VGS=10V） |
| 连续漏极电流 (ID) | 85A |
| 技术 | Trench |

### 应用领域和模块

#### 1. 电源供应
082N10N-VB 可用于需要高电流和高效率的电源供应模块中。其高漏极电流和低导通电阻特性，使其成为电源转换和控制中的重要组件。

#### 2. 电动汽车驱动
在电动汽车的电机驱动系统中，082N10N-VB 可用作功率开关器件。其高电压和高电流处理能力，确保了电动汽车的高效运行。

#### 3. 工业控制
在工业控制系统中，082N10N-VB 可用于各种驱动器和控制器。其高电流和低导通电阻特性，适用于各种工业环境中的电力转换和控制需求。

#### 4. 高性能电源模块
在需要高性能的电源模块中，例如服务器电源和通信设备电源，082N10N-VB 可用作关键的功率开关元件，确保模块的高效率和可靠性。

#### 5. LED 灯具驱动
在需要高功率 LED 灯具的驱动电路中，082N10N-VB 可以提供高效的功率转换和控制。其高电流处理能力和低导通电阻特性，适用于 LED 灯具的驱动需求。

以上是 082N10N-VB MOSFET 的详细产品简介、参数说明以及应用领域。该器件凭借其高性能特性，在各种功率转换和控制应用中有着广泛的应用前景。