2SJ0582-VB一种P-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介详

**VBsemi 2SJ0582-VB TO252** 是一款高性能单P沟道MOSFET，采用槽沟道（Trench）技术制造。具有良好的导通特性和高压耐受能力，适用于负载开关和功率管理应用。

### 详细参数说明

- **型号**：2SJ0582-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **门限电压 (Vth)**：-2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1392mΩ @ VGS=4.5V, 1160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-3.6A
- **技术**：槽沟道 (Trench)

### 适用领域和模块

**1. 负载开关**
2SJ0582-VB TO252 MOSFET适用于负载开关电路，如电源开关和电机驱动器。其高压耐受能力和低导通电阻使其成为负载开关的理想选择。

**2. 电源管理**
在一些电源管理模块中，这款MOSFET可以用于DC-DC转换器和开关电源。其高性能和稳定性能有助于提高模块的效率和可靠性。

**3. 电动车辆**
在一些需要控制电动车辆电路的应用中，2SJ0582-VB TO252可以用作开关器件，控制电动车辆的驱动和制动系统。

**4. 工业控制**
在工业控制系统中，这款MOSFET可以用于控制和调节电压，例如在电压稳定器和工业控制器中的应用。

### 产品简介详

**VBsemi 2SJ0582-VB TO252** 是一款高性能单P沟道MOSFET，采用槽沟道（Trench）技术制造。具有良好的导通特性和高压耐受能力，适用于负载开关和功率管理应用。

### 详细参数说明

- **型号**：2SJ0582-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **门限电压 (Vth)**：-2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1392mΩ @ VGS=4.5V, 1160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-3.6A
- **技术**：槽沟道 (Trench)

### 适用领域和模块

**1. 负载开关**
2SJ0582-VB TO252 MOSFET适用于负载开关电路，如电源开关和电机驱动器。其高压耐受能力和低导通电阻使其成为负载开关的理想选择。

**2. 电源管理**
在一些电源管理模块中，这款MOSFET可以用于DC-DC转换器和开关电源。其高性能和稳定性能有助于提高模块的效率和可靠性。

**3. 电动车辆**
在一些需要控制电动车辆电路的应用中，2SJ0582-VB TO252可以用作开关器件，控制电动车辆的驱动和制动系统。

**4. 工业控制**
在工业控制系统中，这款MOSFET可以用于控制和调节电压，例如在电压稳定器和工业控制器中的应用。