### 产品简介
093N04LS-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET,采用了槽沟工艺(Trench Technology)。它具有40V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的门极-源极电压(VGS,±V),2.5V 的门极阈值电压(Vth)。在 VGS=4.5V 时,其导通电阻(RDS(ON))为6mΩ,在 VGS=10V 时为4.7mΩ。该器件能够提供最大70A 的漏极电流(ID),并采用 DFN8(5X6) 封装。
### 详细参数说明
- **型号**: 093N04LS-VB
- **封装**: DFN8(5X6)
- **结构**: 单路 N 沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: 40V
- **VGS (门极-源极电压)**: 20V(±V)
- **Vth (门极阈值电压)**: 2.5V
- **RDS(ON) (导通电阻)**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 4.7mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流)**: 70A
- **工艺**: 槽沟工艺(Trench)
### 应用领域和模块示例
1. **电动汽车**: 093N04LS-VB 可以用于电动汽车的电源模块,如用作电动汽车的电池管理系统中的开关器件。
2. **工业控制**: 在工业控制领域,该器件可以用于高功率开关电源、逆变器和电机控制器等模块中。
3. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,093N04LS-VB 可以用作高效率的开关器件,帮助实现太阳能电能的转换。
除了以上示例,该产品还适用于其他需要高电流、低导通电阻的领域和模块中。