100N03L-VB一款N-Channel沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100N03L-VB是一款DFN8(3X3)封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和1.7V的阈值电压（Vth）。在不同的栅极-源极电压下，其导通电阻（RDS(ON)）分别为19mΩ（@VGS=4.5V）和13mΩ（@VGS=10V），最大漏极电流（ID）为30A。这款MOSFET采用槽沟技术制造。

以下是关于100N03L-VB的详细参数说明：

- **封装类型（Package）**：DFN8(3X3)
- **器件类型（Configuration）**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：30V
- **栅极-源极电压（VGS，±V）**：20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：19mΩ @ VGS=4.5V, 13mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：槽沟

关于该产品在哪些领域和模块上的应用，以下是一些例子：

1. **手机和平板电脑**：由于DFN8(3X3)封装的小尺寸和30V的漏极-源极电压，100N03L-VB适用于手机和平板电脑中的电源管理和充电模块。
2. **LED照明**：在需要高效率和低导通电阻的LED照明系统中，这款MOSFET可用于LED驱动器中的开关器件。
3. **汽车电子**：对于汽车电子系统中的电源管理和马达控制等应用，这款MOSFET适用于需要中等功率和高可靠性的场景。
4. **工业控制**：在工业控制系统中，100N03L-VB可以用作开关器件，用于马达控制和电源管理。

这些只是一些例子，实际上，100N03L-VB可以适用于需要小尺寸、中等电压和电流、低导通电阻的各种应用场景。