100N08N-VB 是一款 TO262 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数:
- VDS(漏极-源极电压):80V
- VGS(栅极-源极电压):±20V
- Vth(阈值电压):3V
- RDS(ON)(导通电阻):在 VGS=4.5V 时为10mΩ,在 VGS=10V 时为6mΩ
- ID(漏极电流):85A
- 技术:沟道技术
该型号的产品简介详细说明如下:
100N08N-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于要求高效能和高可靠性的应用场合。其 TO262 封装使其适用于各种环境条件下的工作,并具有良好的散热性能。通过沟道技术,该器件具有低导通电阻和高漏极电流的特性,可提供高效的功率转换和可靠的性能。
以下是该型号的详细参数说明:
1. **VDS(漏极-源极电压)**:80V,表示器件可以承受的最大漏极-源极电压。
2. **VGS(栅极-源极电压)**:±20V,表示栅极与源极之间的电压范围。
3. **Vth(阈值电压)**:3V,表示栅极-源极之间的电压,使器件开始导通。
4. **RDS(ON)(导通电阻)**:在 VGS=4.5V 时为10mΩ,在 VGS=10V 时为6mΩ,表示器件导通时的电阻大小,影响功率损耗。
5. **ID(漏极电流)**:85A,表示器件可以承受的最大漏极电流,直接影响器件的功率处理能力。
6. **技术**:沟道技术,采用了先进的沟道设计,使得器件具有更低的导通电阻和更高的效率。
该产品适用于以下领域和模块:
- **电源管理模块**:由于其高漏极电流和低导通电阻,适用于功率放大器、开关模块等电源管理模块。
- **电动车辆**:可用于电动车辆的电池管理系统、电机驱动系统等模块,提供高效能的功率转换。
- **工业控制**:适用于各种工业控制系统中的开关电路、电机驱动等模块,提供可靠的功率控制。
请注意,以上只是一些常见的应用领域,具体应用取决于实际设计需求和环境。