111N15N-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介：

111N15N-VB TO220 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有150V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），3V的阈值电压（Vth），8.5mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及100A的漏极电流（ID）。采用了Trench工艺。适用于需要高电压和高电流的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** TO220
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** 150V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 20V
- **Vth（阈值电压）：** 3V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 8.5mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 100A
- **Technology（工艺）：** Trench

### 应用示例：

1. **电源模块：** 111N15N-VB TO220 可用于高性能电源模块，如服务器电源、工业电源等，以提供稳定的电压和电流输出。

2. **电机驱动：** 由于其高电压和电流特性，该器件适用于驱动大功率电机，如电动汽车的驱动电路中。

3. **照明系统：** 可用于LED照明系统的电源开关，实现高效能的功率控制和调光功能。

4. **电动工具：** 适用于电动工具的电源开关，如电动钻、电动锯等，能够提供高性能的功率输出。

5. **电源逆变器：** 可用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高功率逆变器模块，实现直流到交流的转换。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。