### 产品简介
VBsemi的11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有高达650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为370mΩ,具有11A的漏极电流(ID)和3.5V的阈值电压(Vth)。
### 参数说明
- **型号**: 11NM60ND-VB
- **封装**: TO251
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 650V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 30V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**:
- VGS=10V时:370mΩ
- **ID(漏极电流)**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源模块**: 11NM60ND-VB适用于要求高电压和电流的电源模块,如开关电源和稳压器。
2. **工业控制**: 在工业控制系统中,该器件可用于功率开关和电流控制,例如在电机控制和工业机器人中。
3. **照明应用**: 由于其高电压和电流容量,该器件适用于LED照明驱动器和控制器,提供高效的能量转换和照明控制。
4. **电动汽车**: 在电动汽车中,11NM60ND-VB可用作功率开关和电池管理系统的控制器,实现高效的电能转换和充电控制。
5. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,该器件可用作功率开关,实现太阳能电能的高效转换和逆变控制。
以上示例仅说明了11NM60ND-VB可能应用的部分领域和模块,具体应用取决于设计要求和环境。