12DN20N-VB一种N-Channel沟道DFN8(3X3)封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的12DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为85mΩ，具有9.3A的漏极电流（ID）和3V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 12DN20N-VB
- **封装**: DFN8(3X3)
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 200V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 20V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：85mΩ
- **ID（漏极电流）**: 9.3A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源模块**: 由于12DN20N-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流，适用于一些中功率的电源模块，如DC-DC变换器和电源管理模块。
2. **家电控制**: 在家电控制领域，MOSFET通常用于开关电路和控制电路。12DN20N-VB可用于高压家电控制开关，如空调、洗衣机等。
3. **LED照明**: 由于其较高的漏极-源极电压，12DN20N-VB适用于LED照明驱动器和控制器，提供稳定的电流和照明控制。
4. **电动工具**: 在电动工具中，MOSFET通常用作开关元件。12DN20N-VB可用于电动工具的电源控制和电机驱动。
5. **医疗设备**: 由于其较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流，12DN20N-VB适用于一些医疗设备中的电源开关和控制电路。

以上领域和模块仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。