130N03L-VB一种N-Channel沟道DFN8(3X3)封装MOS管

### 产品简介：

130N03L-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），19mΩ@VGS=4.5V和13mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及30A的漏极电流（ID）。采用了Trench工艺。适用于低压、高电流的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** DFN8(3X3)
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** 30V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 20V
- **Vth（阈值电压）：** 1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 19mΩ@VGS=4.5V，13mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 30A
- **Technology（工艺）：** Trench

### 应用示例：

1. **电源模块：** 130N03L-VB 可用于低压、高电流的电源模块，如电源适配器、充电宝等，以提供稳定的电压和电流输出。

2. **电机控制：** 由于其高电流特性，适用于低压、高电流的电机控制电路，如电动工具、电动车辆等的控制。

3. **LED驱动：** 可用于LED照明系统的电源开关，实现高效能的功率控制和调光功能。

4. **手机充电：** 适用于手机充电器等低压、高电流的电源模块中，提供快速充电功能。

5. **电池管理：** 可用于低压、高电流的电池管理系统中，实现电池的充放电控制和保护。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。