15N20L-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 15N20L-VB MOSFET 产品简介

VBsemi 15N20L-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有高电压承受能力和低导通电阻。该器件封装为TO252，适用于需要高效率和高可靠性的电力转换和控制应用。

### 15N20L-VB MOSFET 参数说明

- **型号**: 15N20L-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 55mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块

1. **电力电子模块**:
   - **应用**: 用于开关电源、逆变器和直流电机驱动器等高电压应用中。
   - **优势**: 高漏源电压和低导通电阻，适合在高电压环境下稳定工作，提高电能转换效率。

2. **工业控制模块**:
   - **应用**: 适用于工业控制系统中的电机控制、变频器和电磁阀控制等。
   - **优势**: 可靠性高，适应工业环境中的高温和高电压需求，保证设备的稳定运行。

3. **新能源汽车模块**:
   - **应用**: 用于电动汽车的电池管理系统、电机驱动器和充电桩等。
   - **优势**: 高电流承载能力和低导通电阻，提供稳定的电力输出，增强电动汽车的性能和续航能力。

4. **太阳能逆变器模块**:
   - **应用**: 用于太阳能发电系统中的逆变器和电池储能系统。
   - **优势**: 高效率和可靠性，确保太阳能电池板转换的电能最大化，降低能源损失。

VBsemi 的 15N20L-VB MOSFET 通过其高性能和可靠性，为各种高压电力应用提供了有效的解决方案。