### 产品简介:
VBsemi的18NF25-VB是一款单N沟道MOSFET,具有250V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。它采用了Trench技术,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为176mΩ@VGS=10V,ID为17A,适用于多种领域和模块。
### 参数说明:
- **型号:** 18NF25-VB
- **包装:** TO252
- **配置:** 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 250V
- **VGS(栅极-源极电压):** 20V(±)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **RDS(ON):** 176mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 17A
- **技术:** Trench
### 适用领域和模块:
1. **低压直流电源:** 由于其250V的漏极-源极电压和低导通电阻,这款MOSFET适用于低压直流电源,可提供高效率和可靠性。
2. **电动工具:** 在电动工具中,18NF25-VB可以用于电机驱动器,实现可靠的开关控制和低损耗。
3. **LED照明:** 在LED照明中,这款MOSFET可以用于驱动电路,提供高效率和可靠性。
4. **电动汽车充电器:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,这款MOSFET适用于电动汽车充电器,可实现高效率的充电。
这些是18NF25-VB MOSFET的一些应用领域示例,但并不局限于此,它还可以用于许多其他领域和模块,以满足各种电源和控制需求。