19N10L-TN3-R-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的19N10L-TN3-R-VB是一款单N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），和1.8V的阈值电压（Vth）。它采用了Trench技术，具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为57mΩ@VGS=4.5V和55mΩ@VGS=10V，ID为25A，适用于多种领域和模块。

### 参数说明：

- **型号：** 19N10L-TN3-R-VB
- **包装：** TO252
- **配置：** 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 100V
- **VGS（栅极-源极电压）：** 20V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 1.8V
- **RDS(ON)（@ VGS=4.5V）：** 57mΩ
- **RDS(ON)（@ VGS=10V）：** 55mΩ
- **ID（漏极电流）：** 25A
- **技术：** Trench

### 适用领域和模块：

1. **电源模块：** 19N10L-TN3-R-VB可以用于开关电源模块，提供高效率和可靠性。
2. **电动工具：** 在电动工具中，这款MOSFET可以用于电机驱动器，实现可靠的开关控制和低损耗。
3. **LED照明：** 在LED照明中，这款MOSFET可以用于驱动电路，提供高效率和可靠性。
4. **电动汽车充电器：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，这款MOSFET适用于电动汽车充电器，可实现高效率的充电。

这些是19N10L-TN3-R-VB MOSFET的一些应用领域示例，但并不局限于此，它还可以用于许多其他领域和模块，以满足各种电源和控制需求。