### 产品简介:
VBsemi的19N10L-TN3-R-VB是一款单N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和1.8V的阈值电压(Vth)。它采用了Trench技术,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为57mΩ@VGS=4.5V和55mΩ@VGS=10V,ID为25A,适用于多种领域和模块。
### 参数说明:
- **型号:** 19N10L-TN3-R-VB
- **包装:** TO252
- **配置:** 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 100V
- **VGS(栅极-源极电压):** 20V(±)
- **阈值电压(Vth):** 1.8V
- **RDS(ON)(@ VGS=4.5V):** 57mΩ
- **RDS(ON)(@ VGS=10V):** 55mΩ
- **ID(漏极电流):** 25A
- **技术:** Trench
### 适用领域和模块:
1. **电源模块:** 19N10L-TN3-R-VB可以用于开关电源模块,提供高效率和可靠性。
2. **电动工具:** 在电动工具中,这款MOSFET可以用于电机驱动器,实现可靠的开关控制和低损耗。
3. **LED照明:** 在LED照明中,这款MOSFET可以用于驱动电路,提供高效率和可靠性。
4. **电动汽车充电器:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,这款MOSFET适用于电动汽车充电器,可实现高效率的充电。
这些是19N10L-TN3-R-VB MOSFET的一些应用领域示例,但并不局限于此,它还可以用于许多其他领域和模块,以满足各种电源和控制需求。