### 产品简介:
VBsemi 200P03LS-VB是一款单P沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具有-30V的漏极-源极电压(VDS)和20V的最大门极-源极电压(VGS)。采用槽道(Trench)技术,具有低导通电阻和高可靠性,适用于中高功率电子应用。
### 详细参数说明:
- **封装:** DFN8(5X6)
- **器件类型:** 单P沟道MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS):** -30V
- **最大门极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -2.5V
- **漏极-源极导通电阻(RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V时:12mΩ
- VGS = 10V时:7.8mΩ
- **漏极电流(ID):** -60A
- **技术:** 槽道(Trench)
### 应用领域和模块示例:
1. **电源模块:** 200P03LS-VB适用于中高功率开关电源和直流-直流转换器,在工业和通信设备中具有较高的电压容忍度和可靠性。
2. **电动汽车充电桩:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,200P03LS-VB适用于电动汽车充电桩中的功率开关。
3. **医疗设备:** 在医疗设备中,这款MOSFET可以用于X射线发生器和高压电源模块,提供稳定的电力输出。
4. **工业控制系统:** 200P03LS-VB可用于工业控制系统中的中高功率开关器件,提供可靠的电力控制。
5. **LED照明系统:** 在LED照明系统中,这款MOSFET可以用于开关控制器,实现照明系统的高效能量转换。
以上示例说明了200P03LS-VB MOSFET在中高功率应用中的潜在应用领域,展示了其在各种场景中的实际应用价值。