2SK2796L-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**型号**: 2SK2796L-VB  
**封装**: TO252  
**配置**: 单N沟道  
**技术**: Trench  

2SK2796L-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽型（Trench）技术，具有低导通电阻和高电流处理能力。它的设计满足了各种电源管理和开关应用的需求，提供了卓越的可靠性和效率。

### 详细参数说明

- **VDS**（漏-源电压）: 60V
- **VGS**（栅-源电压）: ±20V
- **Vth**（栅极阈值电压）: 1.7V
- **RDS(ON)**（导通电阻）:
  - 85mΩ @ VGS=4.5V
  - 73mΩ @ VGS=10V
- **ID**（漏极电流）: 18A

### 应用领域和模块举例

**电源管理**: 2SK2796L-VB在电源管理模块中表现出色，适用于直流-直流转换器（DC-DC Converter）和负载开关应用。其低导通电阻特性使其在高效率电源转换中减少功耗，提高系统效率。

**汽车电子**: 在汽车电子领域，该MOSFET可以用于电动助力转向（EPS）和车载电源分配模块。其高电流处理能力确保了在高负载条件下的可靠运行。

**工业控制**: 在工业自动化和控制系统中，2SK2796L-VB适用于电机驱动器和机器人控制器。其高可靠性和耐用性使其能够在苛刻的工业环境中长时间稳定工作。

**消费电子**: 该MOSFET还可以用于各种消费电子产品，如笔记本电脑、台式电脑和移动设备中的电源管理电路。其高效的电流处理和低功耗特性使其成为这些应用的理想选择。

2SK2796L-VB以其优异的性能和广泛的应用领域，成为各类电子和电力系统设计中的关键组件。