### 一、产品简介
**型号:20N60C3-VB TO247**
VBsemi的20N60C3-VB TO247是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏源电压、20A的漏极电流承载能力,适用于中高压应用。该产品封装在TO247中,具有优越的热性能和电气特性,适用于各种电力和电子领域。
### 二、详细参数说明
- **型号**:20N60C3-VB TO247
- **封装**:TO247
- **配置**:单N沟道
- **VDS(漏源电压)**:650V
- **VGS(栅源电压)**:±30V
- **Vth(阈值电压)**:3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:160mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块举例
1. **电力变换器**
- **电力逆变器**:20N60C3-VB TO247适用于中高压电力逆变器中的开关控制,实现高效的电能转换和稳定的电流输出。
- **高压直流输电**:用于高压直流输电系统中的开关控制,提供高效的电力传输和管理。
2. **工业电源**
- **工业UPS**:在工业UPS中,20N60C3-VB TO247作为开关元件,确保设备在停电时提供稳定的电力输出。
- **工业电源模块**:适用于工业电源模块中的开关控制,提供可靠的电力供应和稳定性。
3. **电动车充电系统**
- **快速充电桩**:用于电动车快速充电桩中的电源控制,提供高效的充电解决方案。
- **电池管理系统**:适用于电动车电池管理系统中的电池充放电控制,提供高效能的电能管理解决方案。
4. **太阳能逆变器**
- **太阳能逆变器**:20N60C3-VB TO247在太阳能逆变器中作为关键元件,实现太阳能电能向电力网络的高效转换。
- **光伏发电系统**:适用于光伏发电系统中的电力管理和逆变控制,提高系统的能效比和稳定性。
通过以上领域和模块的应用,20N60C3-VB TO247展示了其在中高压环境下的稳定性和可靠性,是多种高性能电子设备和系统的理想选择。