21N10-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 21N10-VB TO220 产品简介

21N10-VB TO220 是一款单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术制造，具有高性能和可靠性。封装为TO220，适用于各种应用场合，如电源开关、电机控制等。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：127mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：18A
- **技术类型**：沟槽型

### 应用领域和模块举例

1. **电源开关**：
   21N10-VB TO220 在低电压电源开关中表现优异，例如家用电器、LED照明等。其低导通电阻和高漏极电流能够提供高效的电源开关性能。

2. **电机控制**：
   在小型电动工具、电动车辆中，该MOSFET可以用作电机驱动器的开关元件。其高漏极电流和低导通电阻可以确保电机的高效运行。

3. **车载电子**：
   该产品适用于车载电子系统中的各种模块，如电动汽车的电机控制、车载充电桩等。其高性能和可靠性可以确保系统在各种环境下的稳定工作。

4. **工业控制**：
   在工业自动化设备中，21N10-VB TO220 可以用作开关元件，如PLC、机器人控制器等。其高性能和可靠性可以提高设备的稳定性和可靠性。

综上所述，21N10-VB TO220 MOSFET 在各种应用中都具有良好的性能和适用性，是一款性能稳定、高效可靠的器件。