2SJ683-VB一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**产品型号：2SJ683-VB**

**封装类型：TO263**

**配置：单一P沟道**

**技术：Trench**

**主要特点：**
- **VDS（漏源电压）：** -60V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** -3V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 8.5mΩ@VGS=4.5V；6.5mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** -110A

2SJ683-VB是一款高性能P沟道MOSFET，适用于高功率、高效率的开关电源和马达控制应用。

### 参数说明

1. **基本参数：**
   - **型号：** 2SJ683-VB
   - **封装类型：** TO263
   - **配置：** 单一P沟道
   - **技术：** Trench

2. **电气特性：**
   - **漏源电压 (VDS)：** -60V
   - **栅源电压 (VGS)：** ±20V
   - **阈值电压 (Vth)：** -3V

3. **导通电阻 (RDS(ON))：**
   - **@ VGS=4.5V：** 8.5mΩ
   - **@ VGS=10V：** 6.5mΩ

4. **漏极电流 (ID)：** -110A

5. **其他特性：**
   - **最大耗散功率：** 300W
   - **工作温度范围：** -55°C 至 150°C

### 应用领域和模块

1. **高功率开关电源：**
   由于2SJ683-VB具有低导通电阻和高漏极电流承载能力，适用于需要高功率密度和高效率的开关电源设计。

2. **电动汽车驱动：**
   在电动汽车的电机控制系统中，这款MOSFET可用于功率开关，提供高效的电流控制和管理，从而提高电动汽车的性能和能效。

3. **工业马达控制：**
   用于工业马达控制系统中的功率开关，能够承受高电压和电流，确保系统的高效率和可靠性。

4. **UPS电源：**
   在UPS（不间断电源）系统中，2SJ683-VB可用于功率开关，确保UPS系统在停电时能够提供稳定的电力输出。

综上所述，2SJ683-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于各种高功率、高效率的电源和马达控制应用，是许多工业和汽车电子系统中的理想选择。