2SK1335-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

### 一、2SK1335-VB产品简介

VBsemi的2SK1335-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。该器件封装在TO-251封装中，具备较高的漏源电压和适中的电流处理能力，适用于需要承受较高电压和适中电流的功率管理和开关应用。其特性包括200V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），确保了在各种高压电路中的稳定运行。

### 二、2SK1335-VB详细参数说明

- **型号**: 2SK1335-VB
- **封装类型**: TO-251
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 270mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 8A
- **技术**: Trench

### 三、应用领域和模块举例

1. **电源管理**: 由于2SK1335-VB具有高漏源电压和适中导通电阻，适用于高压电源管理系统中的开关元件。可以用于电动汽车充电桩、工业电源等领域中的电源管理。

2. **医疗设备**: 在医疗设备中，需要高压和适中电流处理能力的开关器件来控制设备的启停和功能调节。2SK1335-VB的特性使其成为这类应用的理想选择。

3. **工业自动化**: 该MOSFET适用于工业自动化领域中的各种控制系统，如PLC、传感器控制等。其稳定性和可靠性使其成为工业环境中的理想选择。

综上所述，2SK1335-VB适用于需要高压和适中电流处理能力的功率管理和开关应用。其特性使其在电动汽车充电桩、医疗设备和工业自动化等领域中都有着广泛的应用前景。