2SK1335S-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介

**型号：2SK1335S-VB**

2SK1335S-VB是一款采用TO-252封装的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有较高漏极电压和适中导通电阻，适用于需要中等功率和高效率的应用场景。其采用了Trench技术，具备良好的电气特性和可靠性。

### 详细参数说明

- **封装：** TO-252
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)：** 200V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vth)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))：** 245mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)：** 10A
- **技术：** Trench

### 应用领域和模块实例

**1. 汽车电子系统：**

2SK1335S-VB适用于汽车电子系统中的电源开关和电压调节器。其较高的漏极电压和适中的导通电阻能够提供稳定的电源输出。

**2. 工业控制系统：**

在工业控制系统中，该MOSFET可用于功率开关和电流调节器。其高漏极电压和适中的导通电阻可提高设备的效率和可靠性。

**3. 高压直流输电系统：**

2SK1335S-VB可应用于高压直流输电系统的功率开关和调节器。其较高的漏极电压和适中的导通电阻有助于提高能量转换效率和系统稳定性。

**4. 工控电源模块：**

该型号适用于工控电源模块的功率开关和电压调节器。其高漏极电压和适中的导通电阻能够提供稳定的电源输出。

以上应用实例展示了2SK1335S-VB MOSFET在中等功率和高效率要求的领域中的广泛适用性，体现了其在现代电子设备中的重要性。