2SK2158A-T2B-AT-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管

### 一、2SK2158A-T2B-AT-VB 型号的产品简介

2SK2158A-T2B-AT-VB 是一款单通道N型功率MOSFET，采用沟槽技术，具有低电压、低功率的特点。其封装形式为SOT23-3，适合在低功率应用中进行功率控制和开关应用。

### 二、2SK2158A-T2B-AT-VB 型号的详细参数说明

- **封装形式（Package）：** SOT23-3
- **配置（Configuration）：** 单N型通道（Single N-Channel）
- **漏源电压（VDS）：** 60V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 
  - 3100mΩ @ VGS=4.5V
  - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 0.3A
- **技术（Technology）：** 沟槽（Trench）

### 三、适用领域和模块示例

2SK2158A-T2B-AT-VB 功率MOSFET适用于以下领域和模块：

1. **低功率开关电路：** 由于其低功率特性，该MOSFET适用于各种低功率开关电路，如小型电子设备中的电源管理、信号处理等。

2. **电源管理：** 在便携式设备和消费电子产品中，2SK2158A-T2B-AT-VB 可用于电源管理模块，提供有效的功率控制和管理。

3. **LED驱动器：** 该器件适用于LED照明产品中的驱动器模块，实现对LED的高效能控制和调节。

4. **手机和平板电脑：** 2SK2158A-T2B-AT-VB 可用于手机、平板电脑等便携式设备中的功率控制模块，提供稳定的电源输出。

5. **电池管理：** 在需要对电池进行充放电管理的应用中，该MOSFET可用于控制电池的充放电过程，确保电池的安全和稳定性。

综上所述，2SK2158A-T2B-AT-VB 具有低功率、低电压的特点，适用于各种低功率应用领域，特别是便携式设备和消费电子产品中的功率控制和开关应用。