2SK2469-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SK2469-01MR-VB MOSFET 产品简介

2SK2469-01MR-VB 是一款由VBsemi制造的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。这款器件适用于中功率应用，具有较高的漏源电压（VDS 650V）和适中的电流承载能力（ID 12A）。采用平面工艺技术，具有较低的导通电阻和适中的阈值电压，适合要求高效率和可靠性的电路设计。

### 2SK2469-01MR-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK2469-01MR-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 12A
- **技术**: 平面工艺

### 适用领域和模块举例

1. **电源转换器（Power Converters）**:
   2SK2469-01MR-VB 可以用于中功率电源转换器中，例如逆变器、变频器等。其高漏源电压和适中的电流承载能力有助于提高电路的效率和稳定性。

2. **电动汽车充电桩（Electric Vehicle Charging Stations）**:
   该器件适用于电动汽车充电桩中的开关控制电路，帮助控制充电电流和保护电路。其高漏源电压和高电流承载能力使其成为电动汽车充电桩设计中的理想选择。

3. **工业电源（Industrial Power Supplies）**:
   在工业电源系统中，2SK2469-01MR-VB 可以用作开关电源中的开关元件，用于控制电源的输出。其高可靠性和耐压能力适合在工业环境中长时间稳定运行。

4. **电力因数校正器（Power Factor Correctors）**:
   2SK2469-01MR-VB 适用于电力因数校正器中的开关控制电路，帮助改善电路的功率因数。其特性使其成为提高功率因数的关键元件之一。

以上是2SK2469-01MR-VB 在中功率应用中的典型应用场景。其特性使其成为多种电路设计中的理想选择，能够满足对功率、效率和可靠性要求较高的应用需求。