Instability Analysis and Oscillation Suppression of Enhancement-Mode GaN Devices--GaN半桥电路中不稳定分析

几种GaN半桥电路中存在的问题
（1）PWM信号失真

图1 PWM信号失真
由于较高的dv/dt会通过信号电路和功率电路的寄生电容，使PWM信号发生失真，PWM信号失真，会使GaN错误的开通和关断。
（2）开通时刻门级驱动振荡

图2 开通时刻门级驱动振荡
第二个常见问题是由高dv / dt和高di / dt引起的导通门振荡。在半桥电路中，当有源开关导通时，无源器件的漏源电压急剧增加。位移电流流过非激活开关的米勒电容到其栅极节点，这可能导致栅极 - 源极电压超过阈值电压。
同时，在di / dt的作用下在共源电感两端产生电压。电压通过驱动器环路使非激活开关的栅 - 源电压恶化。在更糟糕的情况下，这个问题可能导致持续的振荡。
（3）关断时刻门级驱动振荡

图3 关断时刻门级驱动振荡
在有源开关关断过程中，由高dv / dt引起的通过米勒电容的电流必须通过栅极电感沉没，因此，能量存储在栅极电感中。然后在栅极电感和输入电容的作用下，有源开关的栅极电压回振并可能超过阈值电压，从而导致错误导通甚至持续振荡。

（4）级联GaN在高电流关断下回引起振荡
通过使用与耗尽型GaN器件串联连接的低压Si MOSFET，共源共栅GaN