几种GaN半桥电路中存在的问题
(1)PWM信号失真
图1 PWM信号失真
由于较高的dv/dt会通过信号电路和功率电路的寄生电容,使PWM信号发生失真,PWM信号失真,会使GaN错误的开通和关断。
(2)开通时刻门级驱动振荡
图2 开通时刻门级驱动振荡
第二个常见问题是由高dv / dt和高di / dt引起的导通门振荡。在半桥电路中,当有源开关导通时,无源器件的漏源电压急剧增加。位移电流流过非激活开关的米勒电容到其栅极节点,这可能导致栅极 - 源极电压超过阈值电压。
同时,在di / dt的作用下在共源电感两端产生电压。电压通过驱动器环路使非激活开关的栅 - 源电压恶化。在更糟糕的情况下,这个问题可能导致持续的振荡。
(3)关断时刻门级驱动振荡
图3 关断时刻门级驱动振荡
在有源开关关断过程中,由高dv / dt引起的通过米勒电容的电流必须通过栅极电感沉没,因此,能量存储在栅极电感中。然后在栅极电感和输入电容的作用下,有源开关的栅极电压回振并可能超过阈值电压,从而导致错误导通甚至持续振荡。