阻容感基础09:电感器原理(1)-电感器模型

说在开头:关于中子星(1)

有一个年轻的印度学生来到英国求学,这个小伙子叫钱德拉塞卡,那时候印度能上大学的人不多,他考入英国剑桥大学的三一学院读博士。钱德拉塞卡在船上一直思考关于恒星末日的问题:一个年老体衰的恒星,将会有怎样的结局呢?恒星越大燃烧就越猛烈,因为恒星越大其自身引力也就越大,如果燃烧不够猛烈,根本扛不住自身的引力,而猛烈燃烧产生高温,导致物质剧烈运动产生的压力可以对抗物质自身的引力,这样一个天体就能平衡稳定的存在下去。我们观察到的大部分恒星都符合这个规律:体积小重量轻,多半温度也低,颜色偏红色;体积大温度高,颜色多半偏蓝色。所以恒星越大寿命越短,可能几千万年就烧光了,反而像太阳这样的天体,可以慢慢烧上100亿年。

此时量子物理学已经有了很大的发展,特别是上帝之鞭泡利提出了著名的“泡利不相容原理”,打个比方:一个房间不能住进两个特征完全相同的人。每个人用四个量子数来描述:高矮,胖瘦,男女,老幼;排列组合这四个量完全一致的人是不能住到一个房间的,如果非要住进去,那么一定有人被轰出来。那么如果来了一大群人,你就必须安排足够多的房间才能把人安排进去,如果遵守四个量完全一致的人不能安排在一个房间这一规则,无论你怎么精心安排,总有个最小房间数。如果强行把大家赶到一间屋子里,大家会强烈反抗,产生排斥力,称为“简并力”。

符合泡利不相容原理的这类粒子统称为“费米子”(泡利不相容原理后续在《半导体基础》中会有更详细的介绍,这个“简并力”正是“物体”在微观层面上之所以有体积原因,也是我们站在地球表面而不会掉进地心的原因。)。电子也符合泡利不相容原理,对于白矮星来说:压缩到最后,电子运动速度越来越快,相互之间离的越来越近,排斥效应开始明显,这种力叫做“电子简并”,电子兼并足可以对抗自身的引力,白矮星就可以稳定的存在下去,最后变成黑矮星,不过这个过程极其缓慢。

钱德拉塞卡在船上的十多天时间就是在计算这个简并力的上限,任何力都不是无限大的,都会有个上限。钱德拉塞卡发现只要达到足够大的质量,自身引力将大到连“电子简并”都扛不住,电子运动会接近光速(电子质量会非常、非常、非常大),此时就必须考虑相对论效应了,恐怕再也没有什么力量能抗住自身的引力,那最大的可能是塌缩成一个点:密度无穷大。

钱德拉塞卡博士毕业后,就留在了剑桥大学三一学院当研究员,跟着当时著名的天文学家、物理学家爱丁顿。爱丁顿因为观察日全食的星光偏移,验证了爱因斯坦的广义相对论而名声大噪。钱德拉塞卡一直念念不忘自己对于白矮星的计算,也不断完善着自己的想法;他发现只要白矮星的质量大于1.44倍太阳的质量,必定会一直坍缩。在1935年皇家天文学会的会议上,24岁的钱德拉塞卡终于等到了宣读自己论文的机会,稿子打印了很多份,每位与会者都发了一份,他念完了自己的论文,等着诸位大牛的提问。爱丁顿昂首阔步走上讲台,在众目睽睽下把钱德拉塞卡的论文撕成了碎片,直接宣称钱德拉塞卡的东西是一派胡言,理论非常古怪,不能接受。下边哄堂大笑,大会主持人甚至没给他申辩的机会。

钱德拉塞卡得不到英国主流物理学家的认可,泡利后来安慰他说:你的计算是符合“泡利不相容原理”的,但估计不符合“爱丁顿不相容原理”。1937年钱德拉塞卡再次漂洋过海去了美国,在芝加哥大学待了后半辈子,还当了叶凯士天文台的领导,他是个非常努力的科学家,一生发了几百篇论文,涉及很多不同物理学领域,也教授了无数的弟子,其中就包括:杨振宁和李政道。(参考自:吴京平-柔软的宇宙)

 

一,如何看待磁场

上一章我说了我在刚开始接触电感/线圈时非常困惑,因为对磁场只有一些模糊的概念,而没有具象化认知。我们对电场理解起来明显比对磁场容易的多了,很多人接触硬件设计是从UT测试、问题定位开始的,用示波器、万用表等去测量信号,我们所看到信号电压/电流的波形、边沿细节,是对电场最直观、有效的具象化的感性认知,使得我们能更加容易理解电场。但是磁场就难很多,我从来没有直接或间接看到过其存在的具体形态,理解它的只有磁力线示意图和数学公式,通过逻辑推理和数学公式我们可以接受它的存在以及作用,但这只是抽象化和理性的认知。

我们知道数学是基于公理的逻辑体系,有其自身的演绎规律,任何人只要运用其自有的理性功能,就能得到一个同样正确的结果,不会由于不同的种族、母语体系、宗教信仰、哲学思想而得到不同的结论,所以数学本身并不在现实世界的范围内。但对于科学来说如何建立一个符合现实世界的数学模型,是最为重要的事情,我们相信的是基于数学模型逻辑推理得来的科学结论。

在查阅和学习硬件相关基础知识时,看到很多基于不同物理模型的数学公式,简单的加、减、乘、除运算倒还好,数学公式对应相应物理量就理解了;但有些计算和推理用的是:微积分甚至高斯、拉普拉斯、傅里叶变换等,我看的一个头两个大,完全没有心思按照数学公式去重新推理一遍。回想最近一次认认真真学习高数,已是20年前了。

所以在我所有分享的文章中,需要复杂数学推理的物理基础知识,一般直接引用结论加上自己的主观理解来进行表述,而不会直接放上数学推理过程;希望这样的表述更便于大部分人的理解,但同时也必然会失之于客观:因为通过自己理解和消化后输出的知识,会局限于自我本身,而“自我主观世界”只是现实世界部分的、主观的投影,必然会有局限性(理解错误或不准确)。我所能做的是:将我真实思考真诚的表述出来。

当然这些技术知识分享的对错对我来说很重要,因为这些是“我”的思考与输出;但对你来说并非是那么重要,重要的是它是否能带给你思考,只有思考才能有所得。如果大家只是看了个流水账,就算真理放在面前也会错过。所以非常欢迎大家放开心态,提出任何有关或无关的问题(不要怕问题简单或则提错问题,问题并无简单和困难之分,只要自己没理解就是难题),也欢迎大家开动脑筋来解答所有的疑问。

 

二,电感器模型

理想电感的阻抗与频率的关系如下图所示,阻抗为Z(jω) =jωL;所以我们可以看到:

1. 电感器阻抗的幅度| Z(jω)| =ωL,随频率线性增加,斜率为+20dB/10倍频(对数坐标);

2. 电感器的相角在所有频率上都是90°。

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在将线圈绕成圆柱形的技术有很多,所以也决定过了在这过程中引入的导线电阻(寄生电阻)和相邻线圈之间的分布电容(寄生电容)的大小。

1. 导线电阻和分布电容在非理想电感器的电路模型中用Rpar和Cpar表示;

——有些电感制造技术将线圈绕成层状以减小电感本身的长度,但这增加了厚度以及层间的分布电容Cpar。

——电感器主要考虑直流电阻(DCR即Rpar),一般几欧以内,关系到电感器的直流损耗。

2. 非理想电感器和电容器/电阻器一样,同样包含引线寄生电感Llead,但这个寄生电感远小于电感器本身L,所以可以忽略不计;

3. 非理想电感器同样包含引线电容Clead,其通常也远小于层间分布电容Cpar,所以也可以忽略不计;

4. 因此非理想电感器可以简化等效为:Rpar和L串联后与Cpar并联的结构。如下图所示。

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如下图所示,可以得到电感器等效电路模型的阻抗

a3b7c0edec0345a08f235982e3c74cd4.png。从该公式我们可以得到1个零点(分子为0的点:f0 = Rpar/2πL),2个极点点(分母为0的点,忽略电阻的影响,极点 为:f1=1/(2π*√(L*Cpar)),电感器随频率增加的过程如下所示:

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1. 直流时电阻占主导作用,此时电感器的电路模型表现为阻性;

——电感Lead为短路,电容C为开路,所以它们并联后与电阻串联时表现为电阻。

2. 随着频率升高,当频率达到f0 = Rpar/(2πL)时,电感开始起到主导作用,并且相角为+90°,阻抗以+20dB/10倍频的速率增大;

3. 随着频率进一步升高,当频率达到f1 = 1/[2π*√(L*Cpar)],寄生电容的容抗继续减小直至与电感器感抗相等(达到自谐振频率),此时相位反转到-90°,阻抗以-20dB/10倍频的速率减小。

4. 频率继续更加,此时感抗在电容电路模型中占据主要作用,阻抗幅值随着频率的升高以+20dB/10倍频的速率增加;电容器的电容模型表现为感性(相角为接近+90°)。

——如果还对幅相频率曲线有疑惑,我再深入说明下:一个极点对应-90°相角,-20dB/10倍频增益斜率,那么两个极点对应-180°相角,-40dB/10倍频增益斜率;相反一个零点对应90°相角,+20dB/10倍频增益斜率;零点和极点的作用可以抵消(后续专题详细分析)。

电感器阻抗随角频率ω的变化如下图所示,我们看到其明显跟电容器阻抗图是一个对偶关系,那为什么电感器的阻抗图是这样的呢?

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1. 上图虚线对应电感器的一阶数学模型(理想电感器):ZL = jωL;根据公式可得,电感器感抗随ω的增加而线性增大。

2. 实线对应的电感器二阶数学模型:Z = (jωL+R)/[(1-ω²LC)+jωRC],此时电感器不再只是简单的电感特性,根据公式以及电感器二阶阻抗-频率特性图分析,可分为如下三个阶段:

1, 在低频阶段,电感L感值对阻抗的影响远大于寄生电容:(1-ω²LC)+ jωRC ≈ 1,所以Z = jωL + R,电感器阻抗随ω的增大而线性增加,此时电感器呈现电感特性;

——如上右图,低频段阻抗:Z = jωL + R;在理论上低频段 DCR占电感器阻抗的比例比较大,所以在更低频率时阻抗曲线呈现水平直线。

2, 随着ω增大到一定值(SRF)时:1 - ω²LC = 0,ω =1/√(C/L),此时电容器阻抗Z = (jωL+R)/ (jωRC) = L/(RC) – j/√(C/L),此时电感器的阻抗Z达到最大值;

——此工作频率称为电感器的自谐振频率-SRF;电容器用于电源滤波:需要最小阻抗,而谐振频点的阻抗最小,滤波效果最好;而电感器滤波时,需要利用其感性部分(理想电感阶段),所以需要远离自谐振频点。

3, ω继续增大:ω>1/√(C/L),此时可以看到寄生电容的影响开始大于电感的影响,所以随ω的增大,阻抗Z线性减小,此时电感器呈现电容特性。

——单板电源系统滤波设计中,两个不同容值电容器会产生并联谐振点:大容值电容器的高频电感特性和小容值电容器的低频电容特性,形成了LC谐振,产生电源滤波特定频率的高阻抗区域(《电源完整性》专题详细分析)。

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如上图为相同材料、封装,不同感值电感器的二阶阻抗-频率特性图,我们定性分析如下:

1. 电感器感值的越小,低频段阻抗越大;

——低频段电感的感值:Z = jωL+R,主要由DCR决定,而电感量越大(线圈匝数多),导线越长,DCR则越大;所以一般同封装电感器的电感越大,DCR越大。

2. 电感器感值的越小,自谐振频率越大;

——自谐振频率点:ω =1/√(C/L),电感量越大(线圈匝数多),那么线圈层间电容量就越大;相反:电感量越小,寄生电容量也越小,所以自谐振频率越高。

3. 不同感值的电感器,自谐振频点右侧(高频段)阻抗曲线取决于寄生电容的大小(因为此时电感器呈现容性)。

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