带集成放大器部分的极高功率激光调制器（EML-SOAs）

----翻译自H. Debrégeas, N-L.Tran, N. Dubrovina, E.Durán-Valdeiglesias, R.Rosales, R.Brenot的文章

摘要 我们提出了一种以最高调制功率为目标的 EML-SOA。SOA 部分的设计目的是最大限度地提高饱和功率，以便在 SOA 线性工作状态下达到高功率。我们为 1342 nm 50 GPON 演示了创纪录的 15.2 dBm 调制功率。

简介

有些通信网络不包括光放大功能，原因可能是这些网络位于 O 波段，无法使用在线掺铒光纤放大器（EDFA），也可能是在接入无源光网络（PON）中。因此，传输距离主要受到光预算（即光电二极管灵敏度）和发射器发射的调制功率的限制。

例如，O 波段 400-800 Gb 以太网传输基于每信道 100 Gb/s 的 4 级调制发射器。

4 级调制（PAM4）的每信道 100 Gb/s 发射器。由于光纤损耗较高（约 0.34 dB/km），传播距离一般限制在 10 千米，特别是 40 千米。

对于 PON 接入网，有几种波长范围和数据速率正在开发中。在 1577 nm 波长上，COMBOPON 的 10 Gb/s 要求模块中的调制功率为 5 dBm，即芯片面的调制功率至少为 10 dBm。对于最高数据传输速率，即波长为 1358 nm 的 25G-PON 和波长为 1342 nm 的 50G-PON，目前所需的芯片面调制功率约为 13 dBm，而且规格还在不断提高。

直接调制激光器（DML）可以达到很高的功率，其带宽也已提高到 100 Gb/s（调制速率）[1]。然而，它们的消光比（5-6 dB）和传输距离受到限制，这是因为它们具有正啁啾，尤其是在光纤色散不为零（C、L 或 O 波段的高频部分）的所有应用中。

因此，具有分布式反馈（DFB）激光器部分和电吸收调制器的外部调制激光器（EML）成为许多应用的首选，但其光功率首先受到调制器吸收的限制，其次受到调制器饱和的限制，原因是光生空穴的堆积会屏蔽外加电场。通过增加激光器-调制器失谐来限制调制器插入损耗并在高电场下工作，我们已经展示了用于 50G-PON 1342 nm 应用的 13 dBm 面调制功率[2]。然而，这样做的代价是调制器的峰峰值调制电压 Vpp 约为 2.5 V。

同时调制激光器和调制器部分可以提高功率[3]，但同时使用两个射频源会增加成本和复杂性。

另一种方法是在 EML（EML-SOA）输出端单片集成一个半导体光放大器（SOA）部分，以提高输出功率。这一概念于 2003 年提出[4]，此后，多个小组针对不同的数据传输速率（高达 100Gb/s PAM4）和不同的波长范围（O、C、L 波段）对其进行了广泛的研究和开发[5-7]。但最大功率受到 SOA 饱和功率的限制，据我们所知，所获得的记录值仅限于 10 dBm 光纤耦合调制功率。

在本文中，我们介绍了一种 EML-SOA，其结构的优化不是为了优化激光截面，而是为了最大限度地提高 SOA 的饱和功率。我们展示了一种工作波长为 1342 nm、兼容 50 Gb/s 调制的 EML-SOA，在 200 mA 总注入电流下的饱和功率为 20.8 dBm，面调制功率为 15.2 dBm（光纤调制功率为 12.8 dBm），眼图清晰。

EML-SOA 限制

SOA 部分提供的增益 G（以分贝为单位）与其长度成正比，从而增加了 EML 的功率输出。但如下文所述，SOA 也会对眼图产生特别的干扰。EML-SOA 的主要功率限制是 SOA 饱和功率 (Psat)。如图 1 所示，在 2.5 Gb/s 和 25 Gb/s 的数据速率下，对于不同的激光和 SOA 电流（Ilaser 和 ISOA），这种效应会严重降低眼图的质量。在低 Ilaser（70 mA）和 ISOA = 60 mA 时，眼图是干净的（图 1ab）。但当 Ilaser 增加到 150 mA 时，由于增益饱和，在比特 1 开始时功率会逐渐下降，这在低比特率时尤其明显，因为载波消耗效应相对较慢。在 25 Gb/s 时，这种效应会在 1 级产生噪声（图 1cd）。如果 ISOA 进一步增加到 100 mA，则会注入更多的载波，饱和效应也就不那么重要了（图 1ef）。

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EML-SOA 的另一个风险来自于 EML 对来自前表面的光反馈的极高灵敏度，因为调制光会激发激光器以其特有的谐振频率振荡。这种效应尤其会在 1 级产生噪声。因此，必须使用精密的抗反射涂层将反馈率保持在 -40 dB (0.01 %) 以下。对于 SOA 部分，光反馈的危害更大，因为它在 SOA 中被放大了两倍，即 2x G。

另一个可能的限制因素是 SOA 的放大自发辐射 (ASE)，它也是反向传播的：它受到调制器部分的调制，并激发激光器部分的共振，类似于光电反馈。因此，即使在输出面完全没有反射的情况下，激光器也会产生光学共振。在本文介绍的 SOA 工作范围内，这种效应似乎可以忽略不计，但对于长 SOA 部分和高 ISOA 来说，这种效应可能变得不可忽视。

EML-SOA 的设计和制造

为了提高 EML-SOA 的发射功率，需要优化的主要参数是 SOA 的饱和功率。其中，AQW 是量子阱的面积（波导宽度 x 量子阱厚度），ΓQW 是量子阱中的光约束，hν 是光子的能量，τr 是载流子重组时间，dg/dn 是差分增益。我们没有优化 DFB 部分的有源结构，而是优化了 SOA 部分的有源结构，以获得最高的 Psat，特别是降低了量子阱中的光学约束 ΓQW，并在量子阱下集成了 InGaAsP 包层，以吸引模式向下移动，减少顶部 p 掺杂 InP 的光学损耗。

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EML-SOA 的制造与 [2] 中介绍的 EML 相同，激光器结构与 SOA 部分相同。我们在气源分子束外延（GSMBE）中使用 InGaAsP 材料，利用对接技术独立生长激光器和调制器量子阱结构。波导埋在半绝缘的 InP 中，并横向植入 H+ 离子，以限制调制器的电容并对不同部分进行电气隔离。

元件如图 2 所示。它的工作波长为 1342 nm，适用于 50 GPON 网络。它包括一个 400 µm DFB 激光器部分、一个与 50 Gb/s 调制兼容的 110 µm 调制器和一个 250 µm SOA 部分。为了限制对光反馈的敏感度，我们在刻面前集成了一个不带光导的窗口部分和一个 7° 倾斜的输出波导。这种组合将光反馈降低了 100 倍（-20 dB），从而在保持标准 EML 防反射涂层的同时有效抑制了振荡。

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EML-SOA 性能

Psat 测量结果如图 3 所示。在图 3a 中，首先测量 EML 注入 SOA（引脚）的功率，向 SOA 施加反向电压，SOA 充当光电二极管，测量光电流。其次，注入 ISOA 电流，使用宽检测器测量输出功率。然后，可以提取出 SOA 增益 G（图 3b），作为不同 ISOA 值下注入功率 Pin 的函数。饱和功率 Psat 是增益降低 3 dB 时对应的输出功率 (Pout)。当 ISOA 为 80 至 120 mA 时，增益为 5.5 dB，Psat 高达 20 至 21.3 dBm。

当 EML-SOA 在 Ilaser = 100 mA 和 ISOA = 100 mA（对应图 3 中的大光斑）条件下工作时，Pout = 65 mW = 18.1 dBm，比 Psat（20.8 dBm）低约 2.7 dB，因此 SOA 工作在准线性状态。25 Gb/s 时的眼图如图 4 所示。由于 SOA 饱和功率较高，耦合面平均调制功率 Pave_fibre 达到 12.8 dBm，相当于 Pave_facet 约 15.2 dBm（耦合损耗为 2.4 dB）。我们的设备将测量限制在 25 Gb/s，但 EML 的带宽为 35 GHz，因此可兼容 50 Gb/s。

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这些首批设备的动态消光比被限制在 5.7 dB，原因是激光器调制器失谐较高，因为晶片是为高功率 EML 而设计的，如文献 [2]。但是，SOA 的一个最大优点是可以为标准输出功率设计激光器和调制器部分，也就是为低调制振幅 Vpp 设计适度的激光器调制器失谐，并且没有调制器饱和的风险。这对于降低调制器功耗或 100 Gb/s PAM4 应用（1.2 Vpp 很低）尤为重要。

我们尚未评估 SOA 的另一个预期优势是在较长的传输距离上减少啁啾。事实上，如文献[8,9]所述，SOA 的饱和会导致载流子密度降低，从而产生负的啁啾。通过在接近饱和状态下运行 SOA，我们可以预见传输距离将得到改善，同时保持清晰的眼图。

结论

我们介绍了一种适用于超高功率的 EML-SOA 设计，尤其适用于接入或长距离局域网应用。在用于 50GPON 的 1342 nm 工作波长下，我们对 SOA 部分进行了优化，以实现 20.8 dBm 的超高 Psat，从而在 Ilaser = ISOA = 100 mA 时实现了 15.2 dBm 的创纪录面调制功率，并且眼图清晰。这种 SOA 集成允许放宽对 EML 部分的限制，特别是在高比特率和低 Vpp 时。SOA 在传输中的影响仍有待测试，但由于其负啁啾，其性能应该会有所提高。

[1] N. Sasada, T. Nakajima, Y. Sekino, A. Nakanishi, M. Mukaikubo, M. Ebisu, M. Mitaki, S. Hayakawa and K. Naoe, "Wide-Temperature-Range (25°C to 80°C) 53- Gbaud PAM4 (106-Gb/s) Operation of 1.3−μm Directly Modulated DFB Lasers for 10-km Transmission," 2018 European Conference on Optical Communication (ECOC), Rome, Italy, 2018, pp. 1-3

DOI: 10.1109/ECOC.2018.8535129

[2] N. Dubrovina, E. Durán-Valdeiglesias, H. Debrégeas, R. Rosales, F. Lelarge and R. Brenot, "Record High Power 13dBm Electro-Absorption Modulated Laser for 50GPON," 2022 European Conference on Optical Communication (ECOC), Basel, Switzerland, 2022, pp. 1-4.

[3] I. Cano, D. Nesset and R. Brenot, "25-Gb/s Laser Modulated EML With High Output Power," in IEEE Photonics Technology Letters, vol. 32, no. 8, pp. 489- 491, 15 April15, 2020.

DOI: 10.1109/LPT.2020.2980903

[4] B.Kang, S.Cho, J.Ahn, J.Kim, D.Jeon, Y.Lee, S.Lee, D.Jang and T.Kim, “10 Gb/s high power electroabsorption modulated laser monolithically integrated with a semiconductor optical amplifier for transmission over 80 km”, presented at Optical Fiber Conference OFC 2003

[5] W. Kobayashi, M.Arai, T.Fujisawa, T.Sato, T.Ito, K.Hasebe, S.Kanazawa, Y.Ueda, T.Yamanaka and H.Sanjoh, « Novel approach for chirp and output power compensation applied to a 40-Gbit/s EADFB laser integrated with a short SOA », Opt. Express, vol. 23, no 7, p. 9533, avr. 2015.

DOI:10.1364/OE.23.009533

[6] T. Shindo, N.Fujiwara, S.Kanazawa, M.Nada, Y.Nakanishi, T.Yoshimatsu, A.Kanda, M.Chen, Y.Ohiso, K.Sano and H.Matsuzaki, "High Power and High Speed SOA Assisted Extended Reach EADFB Laser (AXEL) for 53-Gbaud PAM4 Fiber-Amplifier-Less 60-km Optical Link," in Journal of Lightwave Technology, vol. 38, no. 11, pp. 2984-2991, 1 June1, 2020.

DOI: 10.1109/JLT.2020.2974511

[7] M.Chen, T.Shindo, S.Kanazawa, Y.Nakanishi, A.Kanda, T.Yoshimatsu and K.Sano, “High-power SOA-integrated EADFB laser for long-reach passive optical network systems”, OSA Continuum, January 2021.

DOI:10.1364/OSAC.411423

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DOI: 10.1109/50.857752

[9] M.N.Ngo, H.T.Nguyen, C.Gosset, D.Erasme, Q.Deniel, N.Genay, R.Guillamet, N.Lagay, J.Decobert, F.Poingt and R.Brenot, “ElectroAbsorption Modulated Laser Integrated with a Semiconductor Optical Amplifier for 100-km 10.3 Gb/s Dispersion-Penalty-Free Transmission”, J. of Lightwave Technology, Vol.31, No.2, Jan 2013.

DOI:10.1109/JLT.2012.2227946

注：本文由天津见合八方光电科技有限公司挑选并翻译，旨在推广和分享相关SOA基础知识，助力SOA技术的发展和应用。特此告知，本文系经过人工翻译而成，虽本公司尽最大努力保证翻译准确性，但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性，建议读者阅读原文或对照阅读，也欢迎指出错误，共同进步。天津见合八方光电科技有限公司（http://tj.jhbf.cc），是一家专注半导体光放大器SOA研发和生产的高科技企业，目前已推出多款半导体光放大器SOA产品（1060nm, 1310nm, 1550nm），公司已建立了万级超净间实验室，拥有较为全面的光芯片的生产加工、测试和封装设备，并具有光芯片的混合集成微封装能力。目前公司正在进行小型SOA器件、DFB+SOA的混合集成器件、可见光波长SOA器件、大功率SOA器件的研发工作，并可对外承接各种光电器件测试、封装和加工服务。