记一次更换大容量STM32芯片的Flash读写异常问题

记一次更换大容量STM32芯片后Flash读写异常问题

背景

由于项目的更新，主控芯片由RBT6更换为RCT6，系统的参数修改保存在片上Flash中，更换新板子之后，调试发现系统参数读取错乱；
对系统参数进行修改，重新保存，发现一部分数据正确，一部分数据错误，多次尝试，现象一致；
读取Flash的数据，查看对应地址保存的数据，是修改后保存的值；

解决方法

很容易定位，问题的关键在对Flash的操作；
而两个板子最根本的变化在于更换了芯片；
查阅资料得知，STM32F103RCT6的Flash一页为2kb；

STM32F103系列参考：
小容量产品主存储块1-32KB， 每页1KB。
中容量产品主存储块64-128KB， 每页1KB。
大容量产品主存储块256KB以上， 每页2KB。
互联型产品主存储块256KB以上， 每页2KB。

所以在进行Flash读写操作时，在对页的擦除和访问时，对应页的起始地址一定不能错。

附：

STM32小容量、中容量、大容量芯片框图

STM32系列产品命名规则