Flash读写操作注意事项—逻辑详解

Flash 框图

如下图所示，对于一整块Flash存储空间，首先划分为若干的 块（Block），其中每一块再划分为若干的 扇区 （Sector）。对于每个扇区，内部又可以分成很多 页 （Page），每一页的大小为256个字节。左下角的SPI逻辑单元通过一个页缓存区再与Flash存储器相连，页缓存区是一个RAM存储器，它可以通过连接状态寄存器来反映Flash芯片是否处于忙状态、是否写使能、是否写保护。

Flash是一个非易失性存储器，它在断电情况下仍能存储数据。其掉电不丢失的特性是通过擦除一整个扇区，再进行拓印数据，因此写入Flash需要一定的时间。

SPI的写入频率是非常高的，而Flash的写入速度比较慢，所以需要使用一个RAM页缓存区来存储写入的数据，从而可以跟得上SPI总线的速度。需要注意的是，这个页缓存区只有256个字节，所以在写入的一个时序中，连续写入的数据不能超过256字节。在SPI将数据写入到页缓存区后，再由页缓存区慢慢地将数据写入Flash。由于Flash擦除和拓印数据需要时间，这段时间，芯片会进入一段比较忙的状态，此时页缓存区会将状态寄存器的BUSY位 置1。在BUSY置1期间，SPI不会响应新的读写时序。

由于Flash要保持掉电不丢失的特性，同时还要保证存储容量大，成本低。因此Flash需要在一些其他地方，比如操作方式上，做出一些妥协和让步。

写入操作注意事项

（1）写入操作前，必须先进行写使能。

注：这是一种保护措施，先解锁再操作，防止误操作。

（2）每个数据位只能由1改写为0，不能由0改写为1。

注：Flash没有像RAM那样的直接完全覆盖能力。在写入时序结束后，Flash中保存的数据可能不是要写入的数据，如 Flash 中之前数据为 1010 1010，你写入一个 0101 0101，由于Flash中只有 1 可以被改写，于是得到 0000 0000。 

（3）写入数据前必须先擦除，擦除后，所有数据位变为1。

注：由于（2）的特性，所以在写入数据前必须先擦除。在进行擦除后，Flash将所有数据位变为1，此时就可以写入要保存的数据了。

（4）擦除必须按最小擦除单元进行。

注：由于写入数据前需要先进行擦除，但是Flash存储空间比较大不好弄。于是可以通过限制最小擦除单位来方便操作。在进行擦除时，可以选择整片擦除、按块擦除、按扇区擦除，最小的擦除单位就是一个扇区。

（5）连续写入多字节时，最多写入一页的数据，超过页尾位置的数据，会回到页首覆盖写入。

注：SPI在写入时，先将数据送到页缓存区。等时序结束后，页缓存区再将数据慢慢写入Flash。但这个页缓存区只有256个字节，所以在一个时序内最多写入一页的数据。而且必须从页起始位置开始写，才能最大写256个字节。如果从页中间位置开始写，写到页尾时，地址就会跳回页首。

（6）写入操作结束后，芯片进入忙状态，不响应新的读写操作。

注：页缓冲区将数据写入到Flash中需要慢慢搬砖，这段时间为忙状态，此时页缓冲区会将状态寄存器BUSY置1，整个SPI芯片也不响应任何读写操作。

读取操作注意事项

（1）直接调用读取时序，无需使能，无需额外操作，没有页的限制，读取操作结束后不会进入忙状态，但不能在忙状态时读取。