STM32CubeMX系列教程9：FLASH读写及HardFault_Handler报错

摘要

  这章记录STM32F103C8T6的Flash进行程序内读写操作。程序源码基于STM32CubeMX系列教程8：配置工程模板(串口+不定长数据收发+DMA+IDLE中断+软中断)工程，在工程中添加Flash读写的驱动文件。通过调用调试好的读写API完成Flash的读写操作。这里仅作基础操作的实现，具体的细节需要根据实际情况增加。
  Flash的操作流程一般为 解锁->擦除->写入->上锁 四个步骤。如果出现数据无法写入，可检查在写入之前是否进行了擦除操作，注意：这里的擦除最小单位为页擦除，所以会将数据整页擦除，如果需要对数据进行增量式写入，可将每页数据先读取进内存，擦除整页后，在进行写入。

查阅相关数据

  通过查阅数据手册，可获取单片机的Flash空间的分布情况，每种型号的单片机Flash空间不同，分布也不同，因此各种单片机的Flash读写操作的代码不通用，所以需要根据单片机型号修改相关的函数功能，但大致流畅相同，因此修改起来也不麻烦。

  STM32F103C8T6单片机的flash空间通过页进行操作，Flash空间有64Kb，属于小容量单片机，因此Flash空间的每页大小为1K字节，中容量与大容量的单片机每页大小为2K字节，各型号单片机需要查阅相关手册。

数据读取

  这里先完成相对简单的Flash空间的读取操作。
  创建FlashRW.h头文件与FlashRW.c文件，在头文件中定义一些宏。

//第一个页的基地址
#define ADDR_PAGE_0 ((uint32_t)0x08000000)

//FLASH_PAGE_SIZE Flash空间的页大小，已经在stm32f1xx_hal_flash_ex.h中定义
//小容量与中容量每页有1K（0x400）字节，大容量每页2K（0x800）字节。
//ADDR_PAGE(n) 计算每个页的地址
#define ADDR_PAGE(n) (ADDR_PAGE_0 + (uint32_t)(n) * FLASH_PAGE_SIZE)

//允许作为EEPROM的Flash空间的基地址
#define STM32_EEPRAM_FLASH_BASE  ADDR_PAGE(32)

//FLASH等待超时时间
#define FLASH_WAITETIME  50000       

  在FlashRW.c文件中创建数据读取函数。

void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead)   	
{
	uint32_t i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]= *(__IO uint32_t*)ReadAddr; //读取4个字节.
		ReadAddr+=4;//偏移4个字节.	
	}
}

  在主函数中，调用这个函数，输入地址参数、保存数据的指针、读取的数据的个数。这里注意，地址必须要四字节对齐。

数据擦除与解锁

  Flash的操作流程一般为 解锁->擦除->写入->上锁 四个步骤。
  在FlashRW.c文件中创建Flash擦除函数。

HAL_StatusTypeDef STMFLASH_Erase(uint32_t PageAddr,uint32_t Num)	
{
		HAL_StatusTypeDef status;
		FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
		uint32_t PageError=0;
	
		HAL_FLASH_Unlock();             //解锁	
	
		FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;
		FlashEraseInit.PageAddress=PageAddr;
		FlashEraseInit.NbPages=Num;
		
		status = HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&PageError);
		if(status !=HAL_OK)
		{
			HAL_FLASH_Lock();           //上锁
			return status;//发生错误了	
		}
		FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
		HAL_FLASH_Lock();           //上锁
		return status;
}

这里使用了一个FLASH_EraseInitTypeDef结构体，这个结构体是Hal库提供的Flash擦除操作的一个参数类型，主要有四个参数，分别为

参数	说明
TypeErase	擦除类型 这里选择页擦除模式。
Banks	因为擦除类型选择的是页擦除模式，因此这个参数不需要设置。
PageAddress	页地址，需要擦除的页的地址。
NbPages	需要擦除的页的数量，大于0，小于最大页数。

HAL_FLASH_Unlock()与HAL_FLASH_Lock()函数为Hal库提供的Flash的解锁与上锁API，在擦除与写入Flash时，必须要先解锁Flash，擦除与写入完毕后，需要再次上锁。

数据写入

  在FlashRW.c文件中创建Flash写入函数。函数中对写入地址进行了简单校验，如果地址非法，则函数跳出。

void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite)	
{
	uint32_t endaddr=0;	
	
	if(WriteAddr<STM32_EEPRAM_FLASH_BASE||WriteAddr%4) return;	//非法地址
    
	HAL_FLASH_Unlock();             //解锁	
	
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址
    
	 while(WriteAddr<endaddr)//写数据
	 {
		if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
		{
			break;	//写入异常
		}
		WriteAddr+=4;
		pBuffer++;
	}  
	HAL_FLASH_Lock();           //上锁
}

测试程序

  通过对一页flash进行读取，擦除，写入，读取，擦除，在写入，可看出，上面写的三个函数能够完成对单片机flash的读写操作。
  完整代码前往Gitee仓库获取 STM32F103C8T6_FlashRW

	STMFLASH_Read(ADDR_PAGE(32),r_buf,256);	//从第32页读取1KB数据，这里数据类型为32位数据，因此数量为256个。
	printf("\r\n****\r\n");
	for(i=0; i<16; i++)
	{
		for(j=0; j<16; j++)
			printf("0x%04x ",r_buf[i*16+j]);
		printf("\r\n");
	}
	printf("\r\n****\r\n");
	

	if(STMFLASH_Erase(ADDR_PAGE(32),1) != HAL_OK)	//擦除第32页的数据
	{
		printf("ERASE ERR\r\n");
	}
	
	for(i=0;i<256;i++)
	{
		w_buf[i] = i;
	}
	
	STMFLASH_Write(ADDR_PAGE(32),w_buf,256);		//写入1KB字节新的数据 这里数据类型为32位数据，因此数量为256个。
	STMFLASH_Read(ADDR_PAGE(32),r_buf,256);			//从第32页读取1KB数据 这里数据类型为32位数据，因此数量为256个。
	printf("\r\n****\r\n");
	for(i=0; i<16; i++)
	{
		for(j=0; j<16; j++)
			printf("0x%04x ",r_buf[i*16+j]);
		printf("\r\n");
	}
	printf("\r\n****\r\n");

	if(STMFLASH_Erase(ADDR_PAGE(32),1) != HAL_OK){	//擦除第32页的数据
		printf("ERASE ERR\r\n");
	}
	
	for(i=0;i<256;i++)
	{
		w_buf[i] = i+0xff00;
	}
	
	STMFLASH_Write(ADDR_PAGE(32),w_buf,256);			//写入1KB字节新的数据 这里数据类型为32位数据，因此数量为256个。
	STMFLASH_Read(ADDR_PAGE(32),r_buf,256);				//从第32页读取1KB数据 这里数据类型为32位数据，因此数量为256个。
	printf("\r\n****\r\n");
	for(i=0; i<16; i++)
	{
		for(j=0; j<16; j++)
			printf("0x%04x ",r_buf[i*16+j]);
		printf("\r\n");
	}
	printf("\r\n****\r\n");

	if(STMFLASH_Erase(ADDR_PAGE(32),1) != HAL_OK)	//擦除第32页的数据
	{			
		printf("ERASE ERR\r\n");
	}

关于HardFault_Handler报错

  程序调试过程中，发现在读取flash时
总会死机，排查后发现是进入了HardFault_Handler中断的wiile中，经过排查后发现是由于ADDR_PAGE_0的基地址多写了一个0导致。由于地址错误，指针指向了一个非Flash空间的地址，因此进入HardFault_Handler中断。