第6章 内存储器

概述

判断存储器的技术指标

容量

单位为二进制的
1k=1024
存储器芯片容量=单元数*数据线总数

Intel 2114: 1K*4 位/片
Intel 6264: 8K*8位/片

存取速度

随机存储器（RAM)

SRAM

两大缺点

MOS管数目多，集成度低
功耗大

优点

不需要刷新电路，简化了外部电路

只读存储器（ROM)

CPU与存储器的连接

根据地址画电路

步骤

1.首先根据给出的地址范围写出二进制码

2.确定芯片的类型和数量

3.确定地址线

4.确定片选信号

5、其他（时序、负载）

图中是扩展的6116A与PC总线连接图。图中，6116A的CS接在
74LS30的输出端上，WE接在总线引脚MEMW，而OE接至MEMR。
6116A的数据线经74LS245双向缓冲器与扩展插槽的数据线D7～D0
相连。6116A的地址范围为A0000H～A07FFH，因A11地址线未
用，还有一个地址重叠区A0800H～A0FFFH。

存储器扩展技术

总片数=总容量/每片的容量

位扩展（并联）

字扩展（串联）

字和位同时扩展（word-bit expansion）

8片16 K × 4的SRAM芯片组成16 K × 8存储器

存储芯片的地址分配和片选

线选法(Address Line Selection)

全译码法(Complete decoding)

优点

每片(或组)芯片的地址范围是唯一确定的，而且是连续的，
也便于扩展，不会产生地址重叠(address overlap)的存储区

 (1) The address range of a chip is uniquely determined and ;
 (2) No address overlap

部分译码法（Partially-decoding）

地址重叠（address overlap）：一个存储单元出现多个地址