STM32F1系列GPIO的八种工作模式

最新推荐文章于 2024-08-29 14:28:02 发布

不会嵌入式的摆烂王

最新推荐文章于 2024-08-29 14:28:02 发布

阅读量550

点赞数 2

分类专栏：大白话——零基础学STM32 文章标签： stm32 单片机嵌入式硬件

本文链接：https://blog.csdn.net/Wukaixiong8/article/details/128652973

版权

1 篇文章 0 订阅

订阅专栏

GPIO的八种工作模式包括输入浮空、上拉、下拉、模拟功能、开漏输出和推挽输出等。输入模式中，浮空模式由外部电路决定电平，上拉和下拉则在空闲时提供预设电平。模拟功能用于ADC和DAC。开漏输出需外部上拉电阻，而推挽输出能直接输出高、低电平并有较强驱动能力。复用功能允许GPIO在特定外设控制下工作。

摘要由CSDN通过智能技术生成

接下来，就用通俗易懂的话来解释一下各个工作模式的特点以及工作流程

附图：GPIO结构框图
① 保护二极管 ② 内部上拉、下拉电阻 ③ 施密特触发器 P-MOS & N-MOS管

特点：只能输出低电平Vss或者高阻态。必须有外部上拉电阻才能输出高电平（对于F1系列来说）
应用：常用于 IIC 通讯或其它需要进行电平转换的场景。
首先要明确三点：

（1）在开漏输出模式下，P-MOS管永远处于截止状态(即不导通)，因此 IO 的状态取决于 N-MOS 的导通状况

（2）输出数据寄存器的输出数据都会进行一次“输出控制”的取反操作

（3）施密特触发器仍然工作，但上下拉电阻不工作，所以输入部分可以看成浮空输入，可以读取到IO口的工作状态
IO的输出过程：(请对照GPIO结构框图学习)（在上面）
可以分为向输出寄存器输出逻辑1和0两种情况：
1. 输出数据寄存器输出逻辑0 --> “输出控制”进行取反操作 --> 逻辑1到达N-MOS的栅极 --> N-MOS输出低电平
2. 输出数据寄存器输出逻辑1 -> “输出控制”进行取反操作 -> 逻辑0到达N-MOS的栅极 -> N-MOS被截止 -> IO呈现高阻态(既不输出高，也不输出低)
3. 其示意图如下：

当GPIO处于该种工作模式时，其与开漏模式基本相同。

唯一的区别就是：IO口输出的东西不再受输出数据寄存器影响，而是由其他的外设来控制输出

特点：即可以输出低电平 VSS 也可以输出高电平VDD。且输出的最大电流能达到25mA的驱动电流，具有较强的驱动能力。
首先明确两点：
（1）推挽模式下，P-MOS 管和 N-MOS 管同时起作用

（2）输出数据寄存器的输出数据都会进行一次“输出控制”的取反操作
IO的输出过程：(请对照GPIO结构框图学习)（在上面）
仍然可以分为向输出寄存器输出逻辑1和0两种情况：
1. 输出数据寄存器输出逻辑0 --> “输出控制”进行取反操作 --> 逻辑1到达P-MOS的栅极 --> P-MOS管被截止 --> 输出逻辑1到 N-MOS 管的栅极 --> N-MOS导通 --> IO接到VSS --> 输出低电平
2. 输出数据寄存器输出逻辑1 --> “输出控制”进行取反操作 --> 逻辑0到达N-MOS的栅极 --> N-MOS管被截止 --> 输出逻辑0到 P-MOS 管的栅极 --> P-MOS导通 --> IO接到VDD --> 输出高电平