MOS管工作原理

作者：睿一

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一、MOS管分类

场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。

 

绝缘栅型场效应管(MOSFET)	增强型	P沟道
		N沟道
	耗尽型	P沟道
		N沟道
结型场效应管(JFET)		P沟道
		N沟道

 

二、MOS管工作原理

         以增强型N沟道绝缘栅场效应管为例，进行讲解。

         1、基本结构

 

2、符号：

 

         3、工作原理

当u_GS等于0V时，g极与衬底b极(s极与b极直接短接在一起)，不能产生电场，从而不能电子区，即所说的耗尽层。漏源极之间相当远两个背对的三极管，即使在S和D极之间加压，也不会产生电流。

当u_GS大于0V时，g极与衬底b极(s极与b极直接短接在一起)，增加纵向电场(如下图所示)，排斥空穴从而生成一片电子区，即所说的耗尽层。此时，在D和S极之间加正向电压，则会产生电流I_D。

 

三、MOS管重要参数

         1、开启电压U_T

         2、夹断电压U_P

         3、跨导g_m ：g_m=Di_D/Du_GS½ u_DS=const

 4、直流输入电阻R_GS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有SiO₂绝缘层，输入电阻可达10⁹～10¹⁵Ω。

 5、|u_GS|越大，沟道越宽，在相同的漏源电压|u_SD|作用下，漏极电流I_D越大。(PMOS和NMOS的电压方向正好相反)