MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应管，是一种在半导体上形成二氧化硅绝缘层和金属栅极的器件。其特点是高输入电阻，并通过栅源电压控制导电沟道的形成。MOS管主要分为N沟道和P沟道的增强型与耗尽型，广泛应用于开关电源、马达驱动和图像传感器等领域。MOS管的开关特性、输入输出特性以及导通特性使其成为理想的电子开关元件。
1. MOS管工作原理--MOS管简介
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别
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