LDO选型注意事项

RunningCamel

已于 2025-02-17 22:17:47 修改

阅读量994

点赞数 17

分类专栏：硬件开发文章标签： LDO 硬件设计

于 2025-02-15 11:27:10 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/XZ_ZC/article/details/145648109

版权

6 篇文章

订阅专栏

一、基础参数选择

输入/输出电压范围
- 输入电压（VIN）：需确保输入电压始终高于输出电压与压差之和（VIN ≥ VOUT + VDROP）。不同LDO的输入范围差异较大（如1.9V~40V），需根据实际电源设计选择。
- 输出电压（VOUT）：选择固定输出（精度高）或可调输出（灵活性好）。可调输出需外置分压电阻，但需注意电阻精度对输出电压的影响。
输出电流能力（IOUT）
- 最大输出电流：需预留20%~50%余量。例如，负载需求200mA时，建议选300mA以上型号，避免瞬时电流冲击导致失效。
- 动态负载响应：负载突变时（如MCU启动），需确保LDO的瞬态响应（如ADP165在100mA阶跃下ΔVOUT<3%）满足要求。

压差（Dropout Voltage）
- 定义：维持额定输出的最小输入-输出电压差（如3.3V→1.8V需VDROP≤0.3V）。
- 影响：压差越小，效率越高，适合低压差场景（如电池供电）。
- 案例：若VIN=3.0V，VOUT=2.8V，需选择VDROP≤0.2V的LDO，否则可能无法稳压。
效率与功耗管理
- 效率公式：η = VOUT / VIN（忽略静态电流）。压差大时效率显著下降（如3.3V→1.8V效率仅54.5%）。
- 功耗计算：PD = (VIN - VOUT) × IOUT + VIN × IQ。需确保PD < PDMAX（由封装热阻θJA和环境温度TA决定）。
  - 案例：VIN=5V, VOUT=3.3V, IOUT=1A时，PD=1.7W。若θJA=50°C/W且TA=25°C，结温TJ=25+1.7×50=110°C，接近典型结温上限125°C，需优化散热或选更大封装。
温度适应性
- 工作温度范围：工业级（-40℃~125℃）与消费级（0℃~70℃）差异显著，需根据应用环境选择。
- 温度对参数影响：高温下静态电流（IQ）可能上升（如从1μA升至10μA），影响电池寿命。

电源抑制比（PSRR）
- 定义：输入纹波衰减能力（如60dB@1kHz表示输入噪声衰减至1/1000）。
- 应用场景：为ADC/DAC供电时，需PSRR>80dB@100Hz-1MHz以抑制DCDC后级噪声。
输出噪声电压
- 典型值：1~100μV RMS（10Hz~100kHz带宽）。低噪声型号（如TPS7A49）可达0.8μV，适合精密模拟电路。
线性/负载调整率
- 线性调整率：输入电压变化时的输出电压波动（如0.01%/V）。
- 负载调整率：负载电流变化时的输出电压变化（如1mV/mA）。高精度场景需选择调整率<0.1%的型号。

输出电容选型
- 容量与ESR：需按手册要求选择（如10μF陶瓷电容，ESR<100mΩ）。电解电容ESR过高可能导致振荡。
- 案例：某LDO要求输出电容≥2.2μF，若使用1μF电容，可能引发启动失败或输出不稳。
封装与散热
- 热阻（θJA）：SOT-23封装θJA≈200°C/W，而QFN封装θJA≈40°C/W，高功耗场景需优选散热封装
  。
- PCB布局：增加散热焊盘、多打过孔至地层，可降低实际θJA值。

低功耗设计
- 静态电流（IQ）：电池供电设备需选择IQ<10μA的型号（如TPS7A02的IQ=1μA）。
- 关断电流：休眠模式下需低于1μA。
多路电源协同
- 时序控制：若需多路LDO上电顺序，需选择带使能引脚（EN）且支持时序控制的型号（如TPS65086）。