第四集
PN结
V
P
N
V_{PN}
VPN正偏>0
V
P
N
V_{PN}
VPN反偏<0
V
T
V_T
VT热电压=
k
T
q
\frac{kT}{q}
qkT≈26mV
q
V
T
=
k
T
qV_T=kT
qVT=kT电子能量,T=0时电子无能量
噪声:温度越高,电子能量越大,电子的无规则运动越剧烈,会形成噪声。
温度越高噪声越大。
I
S
0
I_{S0}
IS0反向饱和电流
V
P
N
V_{PN}
VPN在正向导通的时候0.6V~0.7V,
V
T
V_T
VT≈26mV,
e
x
p
(
V
P
N
V
I
)
exp(\frac{V_{PN}}{V_I})
exp(VIVPN)远大于1
V
P
N
V_{PN}
VPN在反向偏置的时候,
I
P
N
=
−
I
S
0
I_{PN}=-I_{S0}
IPN=−IS0
Q:
I
S
0
I_{S0}
IS0反向饱和电流和什么有关?
A:
- 与PN结面积有关。
两个PN结并联在一起,相当于PN结面积变为两倍。
Q:PN结在电路中的具体应用?
A:
直流:
- 隔离
利用PN结反向特性
不用对应PN结的时候要反偏 - 稳压
利用PN结反向击穿特性,可做近似稳压源 - 钳位
利用PN结正向导通特性,电流变化很大,电压变化较小,钳位在PN结的正向导通电压。
交流:
- 交流阻抗
直流电阻R
交流阻抗 r = d V d I r=\frac{dV}{dI} r=dIdV
线性元件R=r
非线性元件不一定相等,例:二极管正向
交流电流通过交流阻抗,交流电压 U = I r U=Ir U=Ir趋近于0,交流短路,利用低阻改善频率响应
减小输出交流电阻,RC减小,等效屏蔽电容作用,改善频率响应。
PN结的负反馈机制
P型半导体、N型半导体有电阻
PN结电流比较小的时候,P型半导体、N型半导体本征区电阻比较小,电阻压降比较低,PN结相当于高组,加了电压之后,电压主要加在结上。
Q:什么时候要考虑本征区的阻抗?
A:PN结电压太大,流过电流太大, 导致P型半导体区、N型半导体区压降不可忽略,削弱了电流上升的速度(电压不是全部加在PN结上,还有部分在本征区分压)