CMOS模拟集成电路设计 吴金 学习记录2

最新推荐文章于 2024-06-14 09:02:04 发布
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场效应管 I D S I_{DS} IDS​的推导

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Q i n v = C o x W L [ ( V G S − V T H − 1 2 V D S ) ] Q_{inv}=C_{ox}WL[(V_{GS}-V_{TH}-\frac{1}{2}V_{DS})] Qinv​=Cox​WL[(VGS​−VTH​−21​VDS​)] ①本质上是 Q = C V Q=CV Q=CV
总电容C等于单位面积电容

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CMOS模拟集成电路设计 吴金 学习记录1
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电子电路：PN结
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PN结 半导体内，上层为Conduction band,下层为Valence band,电子在上层，空穴在下层 N-type注入donor impurities，提供电子前往上层 P-type注入acceptor impurities，提供空穴前往下层 上层的电子将CB和VB下压，下层的空穴将CB和VB上顶，形成势垒 AC analysis 交流和直流电源都存在的电路，需要将AC和DC分开分析 输...
东南大学吴金《CMOS模拟集成电路设计》课件
12-06
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三极管的厄利效应(early effect)
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weixin_43233653的博客
06-14 4162
詹姆斯·M·厄利(James M. Early)发现的现象，厄利效应（英语：Early effect），又译厄尔利效应，也称基区宽度调制效应，是指当双极性晶体管（BJT）的集电极－射极电压VCE改变，基极－集电极耗尽宽度WB-C（耗尽区大小）也会跟着改变。此变化称为厄利效应，由詹姆斯·M·厄利（James M. Early）所发现。
电路设计相关
知识，既贵，又便宜。
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常见的电路设计知识和电器元器件选型
CMOS模拟IP线性集成电路_吴金.pdf
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CMOS模拟IP线性集成电路
厄利效应/
ljb250013335的博客
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三极管模拟电路中和精度相关
复旦二级运放设计整理
m0_46349108的博客
01-22 7409
著名的复旦二级运放设计，这里做一个学习记录。
模拟电路：晶体管的结构
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概述 双极性晶体管可以视为一个电压控制的电流源，如下图所示，放大增益为AV=−KRLA_V=-KR_LAV​=−KRL​，增益只和负载电阻和受控电流源的特性有关，和输入内阻rinr_{in}rin​无关 双极性晶体管的结构 Active模式下的双极性晶体管 某些情况下，三极管可以看作是IECI_{EC}IEC​受到VBEV_{BE}VBE​的电流源 当VBE>0VBC<0V_{BE}>0\quad V_{BC}<0VBE​>0VBC​<0的时候称为晶体管在Active
MOS管详解-1
温故知新
12-24 3455
下图是断路的，但是一旦GS电容上有电，DS实际上是导通的，与有没有回路无关，正是因为这样一个特性，当我们拿到一个MOS管时，不知道这个管子GS上有没有电，万一DS这个时候时导通的，直接焊接到电路板上，可能会出现问题。二极管钳位电压0.7V，实际上是和流过二极管上的电流是有关系的，电流越大，钳位电压越高，因为二极管有内阻。，有回路，有电流，则必然产生功耗，P=UI，W=Pt。MOS管需要去解决功耗的问题，也就是解决功率的问题，那一定不能是流控流型器件，不能有电流，除了电流还有电压，
【吴金】 偏置和cascode
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哈哈哈。
virtuoso IC5141 实验一 MOS管I-V特性仿真验证
yangkunol的博客
04-21 3822
摘要：基于IC5141平台仿真CSMC05工艺下的MOS特性
基区宽度调制效应（厄尔利（Early）效应）
kevinhg的博客
09-04 2万+
NPN三极管共发射极输出特性曲线，是指基极电流一定时，输出电流（集电极电流）和输出电压（集电极-发射极间电压）的关系曲线，主要用于描述不同基极电流对控制集电极电流的特性。        分析这簇曲线可知，每条曲线的起始段都是由原点线性陡斜上升，然后弯曲变平，即集电极与发射极之间的电压较小时，集电极电流随其增加而显著增加；而其超过某一数值后再增加时，集电极电流却增长缓慢，表现出恒流性质。这是因为集
模拟电子技术之场效应三极管及其放大电路
zbp_12138的博客
06-26 5432
金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管 MOSFET 基本共源极放大电路 图解分析法 小信号模型分析法 共漏极和共栅极放大电路 1. 金属- 氧化物- 半导体（MOS ）场效应三极管场效应管是一种具有放大作用的元件,它是构成放大电路的基本器件,并且是一种三段器件,所以有时候也称为场效应三极管 在一块掺杂浓度较低的P型半导体基片上的两个区域掺入高浓度的五价杂质元素,形成两个杂质浓度很高的N型区域,然后再在P型硅表面生成一层很薄的二氧化硅绝缘层,再在中间二氧化硅以及两个N型区上面分别安置三个铝电极.
两级运算放大器设计与仿真
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运算放大器（简称运放）是许多模拟系统和混合信号系统中的一个完整部分。各种不同复杂程度的运放被用来实现各种功能：从直流偏置的产生到高速放大或滤波。伴随者每一代 CMOS 工艺，由于电源电压和晶体管沟道长度的减小，为运放的设计不断提出复杂的课题。 运算放大器的设计可以分为两个较为独立的步骤，第一步是选择或搭建运放的基本结构，绘出电路结构草图，第二步就要选择直流电流，手工设计管子尺寸，以及设计补偿电路等等，然后在手工计算的基础上，运用模拟电路仿真软件对设计的两级运放进行仿真，并对电路进行后续的调试和修改。....
[模集学习0]计划和打算
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电源管理模块设计 - 线性电源和开关电源的区别
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模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础 文章目录模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础2.1 基本概念2.1.1 MOSEFT开关2.1.2 MOSEFT结构2.1.3 MOS符号2.2 MOS的I/V特性2.2.1 阈值电压2.2.2 I/V特性的推导2.3 二级效应2.4 MOS器件模型2.4.1 MOS器件版图2.4.2 MOS器件电容2.4.3 MOS小信号模型2.4.4 MOS SPICE模型2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较2.4.6 长沟道器件与短沟道器件的比较附录A 用作电容器MO
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