CMOS模拟集成电路设计 吴金 学习记录2

场效应管$I_{DS}$的推导

$Q_{inv}=C_{ox}WL[(V_{GS}-V_{TH}-\frac{1}{2}{V}_{DS})]$ ①本质上是$Q=CV$
总电容C等于单位面积电容$C_{ox}$与沟道面积$WL$的乘积
$\frac{1}{2}{V}_{DS}$是因为沟道不均匀，

沟道长度L/v可得时间t，$t=L/v$ ②
迁移率μE可得电子迁移速度v，$v=\mu E$ ③
$V_{DS}/L$可得电场强度E，$E=V_{DS}/L$ ④

由q=it可得
$I_{DS}=Q_{inv}/t$

代入②③④可得
$I_{DS}=\mu \frac{V_{DS}}{L^2}{Q}_{inv}$

代入①可得$I_{DS}=\mu C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS}-\frac{1}{2}{V}_{DS}^2]$

$k^{\prime }=\mu C_{ox}$，$k=k^{\prime }(W/L)$，$\Delta =V_{GS}-V_{TH}$为过驱动电压

$R_{ON}=\frac{1}{k\Delta }$
线性区的时候栅压越高 电阻越大——受控电阻

λ——沟道长度调制因子
λ倒数为厄利电压

厄利电压——理想恒流源，厄利电压无穷大，用来衡量恒流源的好坏，反映恒流源的特性
根源是沟道长度调制效应

要做一个比较好的恒流源，厄利电压要做大，把L做大，不能去工艺的$L_{min}$，至少3-5倍10倍也有。
但是这种方式改善的还不够，L提高两倍，$V_A$就提高两倍。可以改变电路结构，使用Cascode电路，后续会讲。