模拟CMOS 集成电路设计

最新推荐文章于 2024-03-20 22:28:49 发布
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分类专栏： # 模拟CMOS集成电路设计
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模拟CMOS 集成电路设计

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1 模拟电路基础设计模拟电路基础设计
2 MOS器件物理基础MOS器件物理基础
3 单级放大器
4 差分放大器
5 无源和有源电流镜
6 放大器的频率特性
7 噪声
8 反馈
9 运算放大器
10 稳定性与频率补偿
11 带隙基准
12 开关电容电路
13 非线性与不匹配
14 振荡器
15 锁相环
16 短沟道效应与器件模型
17 CMOS工艺技术
18 版图与封装

杂记及外部参考链接

椰子奶糖
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专栏目录
【模拟CMOS集成电路设计】第九章 运算放大器
m0_56997192的博客
07-04 4255
模拟的主要认为在两个方向：（1）自然界的输入：关注噪声（2）处理后的数据推动到天线输出：关注非线性。
模拟CMOS集成电路设计入门学习（6）
qq_61052827的博客
12-18 4437
模拟CMOS集成电路设计入门学习（6）：共源共栅结构（Cascode）
模拟CMOS集成电路设计 总览
最新发布
qq_73990157的博客
03-20 751
在MOSFET的情况下，电流镜利用了MOSFET在饱和区的特性，即当MOSFET工作在饱和区时，漏源电流（Ids）主要受栅源电压（Vgs）的控制，而与漏源电压（Vds）关系不大，只要Vds足够使MOSFET保持在饱和状态。在MOS管的共源放大器中，跨导(g_m)的变化直接受到Vgs的影响，从而影响放大器的线性度。源跟随器的输入信号加在栅极上，输出从源极取出。一个典型的应用是采样保持电路，它能够在一个瞬间捕获（采样）模拟信号的电压值，并将这个值保持（存储）一段时间，在这个过程中，电容存储的电荷不变。
【模拟CMOS集成电路设计】第三章，单级放大电路
m0_56997192的博客
04-23 4074
对于M1，从输出看进MOS，漏极看进去的电阻为 ro。本篇中部分图片为拷贝其他博主文章中的图片，如有侵权，联系删。圈1中忽略了gmb。忽略沟道长度调制效应。
【模拟集成电路设计】学习笔记（一）
qq_45689790的博客
06-24 2037
持续更新，若有后续更新，更新链接将附于文末，后续有时间会对内容更新。
拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》总览
qq_73990157的博客
03-15 1352
在MOSFET的情况下，电流镜利用了MOSFET在饱和区的特性，即当MOSFET工作在饱和区时，漏源电流（Ids）主要受栅源电压（Vgs）的控制，而与漏源电压（Vds）关系不大，只要Vds足够使MOSFET保持在饱和状态。在MOS管的共源放大器中，跨导(g_m)的变化直接受到Vgs的影响，从而影响放大器的线性度。源跟随器的输入信号加在栅极上，输出从源极取出。一个典型的应用是采样保持电路，它能够在一个瞬间捕获（采样）模拟信号的电压值，并将这个值保持（存储）一段时间，在这个过程中，电容存储的电荷不变。
模拟Cmos集成电路设计---Razavi习题解答
08-16
模拟Cmos集成电路设计---Razavi习题解答 本资源是模拟Cmos集成电路设计的习题解答，基于Razavi的著作。该资源提供了详细的习题解答，涵盖了模拟Cmos集成电路设计的各种知识点。 知识点一：模拟Cmos集成电路设计的...
模拟CMOS集成电路设计
04-17
在电子技术领域，模拟CMOS集成电路设计是一项至关重要的技能，它是现代电子设备中不可或缺的部分。CMOS（互补金属氧化物半导体）技术因其低功耗、高集成度和良好的噪声性能而广泛应用于各种模拟和数字电路中。本篇将...
模拟CMOS集成电路设计 课后题答案 拉扎维 详细版
04-21
"模拟CMOS集成电路设计" 模拟CMOS集成电路设计是指使用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术设计的模拟集成电路。在本资源中，我们将学习如何设计和分析模拟CMOS集成电路，特别是NFET和PFET的设计和分析。 知识点1：...
模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)－电子版-综合文档
05-23
《模拟CMOS集成电路设计》是电气工程领域的一本经典著作，由拉扎维（M. H. R. Razavi）撰写。这本书详细介绍了模拟CMOS集成电路的设计原理、方法和技术，涵盖了从基本概念到高级设计技巧的广泛内容。以下将根据标题...
模拟CMOS集成电路设计（毕查德-拉扎维著）课后答案
03-22
此答案是pdf格式，书签中有中英文版题号的对应，文本中的题号是英文版的 提醒一下，答案是英文的。中英文的题号不一样，书签括号内标注的是中文版的题号。
《模拟CMOS集成电路设计》9、运算放大器.pdf
11-01
《模拟CMOS集成电路设计》9、运算放大器 《模拟CMOS集成电路设计》9、运算放大器 《模拟CMOS集成电路设计》9、运算放大器
模拟集成电路设计(拉扎维思维方式)——复旦大学综合课件
05-30
模拟集成电路设计(拉扎维思维方式)，综合了模拟集成电路设计诸多精华
拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》习题答案（手写版）
11-10
这本是手写版本的答案，第二到第十五章都有，Razavi《模拟CMOS集成电路设计》习题答案电子版
模拟集成电路设计初学系列
as7866610的博客
04-19 2808
提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档 文章目录模拟集成电路设计第二章（何乐年）一、MOS管二、输入、输出阻抗计算三、放大器3.1 共源级放大器3.2 共栅级放大器3.3 共漏级放大器（源跟随器）3.4 共源共栅放大器总结 模拟集成电路设计第二章（何乐年） 一、MOS管 晶体管本征跨导 二、输入、输出阻抗计算 1.输入阻抗将电压输出短接，有点类似于计算小信号下的放大增益。 2.输出阻抗将输入全部短接，给输出一个电源，画小信号电路图。 三、放大器 3.1 共源级放大.
模拟CMOS集成电路设计 学习笔记（二）
weixin_39059406的博客
06-11 5826
感谢拉扎维大神
模拟cmos集成电路设计
04-30
模拟CMOS集成电路设计是指设计和实现模拟电路，包括放大器、滤波器、振荡器、开关电路等。其中，CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是目前用于模拟电路设计中最常用的技术之一。 模拟CMOS集成电路设计的过程包括以下几个步骤： 1. 确定电路功能和规格：首先需要确定电路的功能和规格，包括输入输出电压范围、增益、带宽等参数。 2. 电路结构设计：根据电路功能和规格，设计出适合的电路结构，包括单级和多级放大器、滤波器、振荡器等。 3. 电路分析和仿真：通过SPICE等仿真软件进行电路分析和仿真，优化电路性能，满足电路规格和性能要求。 4. 物理实现：根据电路结构和仿真结果，进行物理实现，包括版图设计、掩膜制作、芯片制造等。 5. 测试和验证：制造完成后，进行测试和验证，确保电路能够正常工作，满足规格和性能要求。 在模拟CMOS集成电路设计中，需要掌握电路理论知识、CMOS工艺知识、SPICE仿真软件的使用等方面的知识。

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